Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Тиристорный модуль> ROHS Completian Thyristor модуль 160A
ROHS Completian Thyristor модуль 160A
ROHS Completian Thyristor модуль 160A
ROHS Completian Thyristor модуль 160A
ROHS Completian Thyristor модуль 160A
ROHS Completian Thyristor модуль 160A
ROHS Completian Thyristor модуль 160A

ROHS Completian Thyristor модуль 160A

$16.510-199 Bag/Bags

$13.5≥200Bag/Bags

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-MCO150-16I01

маркаYzpst

применениеНепригодный, Усилитель звука

Тип поставкиДругие

Справочные материалыФото, техническая спецификация, Другие

Тип упаковкиПоверхностное крепление

Способ установкиНепригодный

Функция FETНепригодный

КонфигурацияНепригодный

VRRM1600V

VDRM1600V

VRSM1700v

Irrm8 мА

Это (av)160a

Это (RMS)251а

Itsm2300

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Bag/Bags
Пример с картинкой :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

YZPST-MCO150-16I01.
Описание продукта


160a 1600v

Тиристорский модуль
Соответствует RoHS

YZPST-MCO150-16I01



Особенности продукта
Опорная плита: медь
Стеклянная пассивация тиристор
Низкий ток утечки
Внутренне DBC изолирован
Усовершенствованный велосипедный велосипед
ПРИЛОЖЕНИЯ
SoftStart AC управление двигателем
Контроль температуры
Контроль мощности переменного тока
Контроль освещения и температуры
RoHS Compliant 160A thyristor module


A BS O L U TE M A X I M U M R A T I NG S (TC = 25 ° C, если не указано иное)

Symbol Parameter Test Conditions Values Unit
VRRM Maximum Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1600 V
VDRM Maximum repetitive peak off-state voltage
VRSM Non-Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1700 V
VDSM Non-repetitive peak off-state voltage
IRRM Maximum Repetitive Reverse Current Tvj=125 8 A
IDRM Maximum repetitive peak off-state Current
IT(AV) Mean On-state Current TC=85 160
IT(RMS) RMS Current TC=85, sin180° 251 A
ITSM Non Repetitive Surge Peak On-state Current 10ms, Tj=25 2300
I2t For Fusing 10ms, Tj=25 125 A2S
VTM Peak on-state voltage ITM=160A 1.4 V
ITM=480A 1.8
dv/dt critical rate of rise of off-state voltage VD =2/3VDRM   Gate Open Tj=125 1000 V/us
IGT gate trigger current     max. 100 A
VGT gate trigger voltage     max. 1.3 V
IH gate trigger current 220 A
IL latching current 350 A
Viso A  50Hz   RMS    1min 2500 V
TJ Junction Temperature -40 to +125
TSTG Storage Temperature Range -40 to +125
RthJC Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip ) 0. 13  /W
mounting torque Module to Sink 1. 1-1.5 Nm
Terminal 1. 1-1.5

O utlines

160A thyristor module









Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить