Один винт монтаж 800 В тиристор
$10.51-19 Piece/Pieces
$7.5≥20Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | SHANGHAI |
$10.51-19 Piece/Pieces
$7.5≥20Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | SHANGHAI |
Модель: YZPST-SK70KQ08
марка: Yzpst
применение: Высокая частота, Текущее зеркало
Тип поставки: Оригинальный производитель, ODM, Агентство, Другие
Справочные материалы: техническая спецификация, Фото, Другие
Тип упаковки: Поверхностное крепление, Пронизывающая дыра
Способ установки: Сквозное отверстие, Поверхностное крепление
Функция FET: Карбид кремния (SiC), Стандарт, Супер Джанкшен, GaNFET (нитрид галлия), Непригодный
Конфигурация: Одинокий, Т-образный, Одиночный переключатель, Непригодный
VRRM/VDRM TVJ = 125 ℃: 800 В.
VRSM/VDSM TVJ = 125 ℃: 900 В.
IRRM/IDRM TVJ = 125 ℃: 5 мА
Это (av) Tc = 85 ℃: 55а
Это (RMS) TC = 85 ℃, Sin180 °: 80A
ITSM 10 мс, TJ = 25 ℃: 1100а
I2t: 6050A2S
Vtm: 1,7 В.
Продажа единиц жилья | : | Piece/Pieces |
Скачать | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
Соответствует RoHS
Продукт функции s
Компактный дизайн
Один винтовой монтаж
Теплопередача и изоляция через DBC
Стеклянная пассивация тиристор
Низкий ток утечки
Приложение li cat i on s
Мягкие стартеры
Контроль температуры
Световой контроль
A BS O L U TE M A X I M U M R A T I NG S (TC = 25 ° C, если не указано иное)
Symbol | Parameter | Test Conditions | Values | Unit |
VRRM | Maximum Repetitive Reverse Voltage | Tvj=125℃ | 800 | V |
VDRM | Maximum repetitive peak off-state voltage | |||
VRSM | Non-Repetitive Reverse Voltage | Tvj=125℃ | V | |
VDSM | Non-repetitive peak off-state voltage | 900 | ||
IRRM | Maximum Repetitive Reverse Current | Tvj=125℃ | 5 | mA |
IDRM | Maximum repetitive peak off-state Current | |||
IT(AV) | Mean On-state Current | TC=85℃ | 55 | |
IT(RMS) | RMS Current | TC=85℃, sin180° | 80 | A |
ITSM | Non Repetitive Surge Peak On-state Current | 10ms, Tj=25℃ | 1100 | |
I2t | For Fusing | 10ms, Tj=25℃ | 6050 | A2S |
VTM | Peak on-state voltage | ITM=150A | 1.7 | V |
dv/dt | critical rate of rise of off-state voltage | VD =2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | 1000 | V/us |
IGT | gate trigger current max. | 80 | mA | |
VGT | gate trigger voltage max. | 1.5 | V | |
IH | gate trigger current | 200 | mA | |
IL | latching current | 500 | mA | |
Viso | AC 50Hz RMS 1min | 2500 | V | |
TJ | Junction Temperature | -40 to +125 | ℃ | |
TSTG | Storage Temperature Range | -40 to +125 | ||
RthJC | Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip ) | 0.7 | ℃ /W | |
Torque | mounting force, Module to Sink | 2.5 | Nm | |
Tsolder | Teminals,10s | 260 | ℃ |
O utlines
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.