Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Тиристорный модуль> Блок тиристоров высокой мощности 1600 В для управления фазой
Блок тиристоров высокой мощности 1600 В для управления фазой
Блок тиристоров высокой мощности 1600 В для управления фазой
Блок тиристоров высокой мощности 1600 В для управления фазой
Блок тиристоров высокой мощности 1600 В для управления фазой
Блок тиристоров высокой мощности 1600 В для управления фазой

Блок тиристоров высокой мощности 1600 В для управления фазой

$3101-19 Piece/Pieces

$230≥20Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа:1 Piece/Pieces
транспорт:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-KP641-16E

маркаYZPST

V RRM1600v

V DRM1600v

I T(AV)641a

I TSM9900a

I RRM30ma

I DRM30ma

V TM1.5v

Threshold Voltage V T(TO)0.99v

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

УЗЕЛ ТИРИСТОРА ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ
ДЛЯ ПРИЛОЖЕНИЙ ФАЗОВОГО КОНТРОЛЯ
Тип: YZPST-KP641 / 16E

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И НОМИНАЛЫ

Parameter

Symbol

Maximu

m Limits

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

RRM

1600

V

 

Repetitive peak off state voltage

DRM

1600

V

 

Average value of on-state current

I T(AV)

641

A

Sinewave,180 o conduction,T sink =70 

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

TSM

9900

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-shape,

180 conduction, T j = 125 

 

RRM

30

mA

Tj = 125 ℃

 

DRM

30

mA

Tj = 125 ℃

Peak on-state voltage

TM

1.5

V

Tj = 125 ℃ ITM=1000A

Threshold voltage

V T(TO)

0.99

V

T j =1 25 ℃

Slope resistance

T

0.52

T j =1 25 ℃

Average gate power dissipation

P G(AV)

3

W

 

Gate current

GT

300

mA

V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = +25 ℃

Gate voltage

GT

3.5

V

V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = 0-125 ℃

Latching current

I L

1000

mA

V D = 24 V; R L = 12 ohms

Holding current

I H

300

mA

V D = 24 V; I = 2.5 A

Critical rate of voltage rise

dV/dt

1000

V/s

VD=2/3VDRM

Critical rate of rise of on-state

current

di/dt

200

A/ s

Switching from V DRM 1000 V,

non-repetitive

Operating temperature

T

-30-125

 

Storage temperature

T stg

-30-125

 

ОПИСАНИЕ И РАЗМЕРЫ КОРПУСА.

YZPST-KP641-16E.jpg


Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Тиристорный модуль> Блок тиристоров высокой мощности 1600 В для управления фазой
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить