SCR транзистор мощность транзистора цена с отличной ценой

SCR транзистор мощность транзистора цена с отличной ценой

Получите последнюю цену

Вид оплаты:	L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:	FOB,CFR,CIF
транспорт:	Ocean,Air
Порт:	Shanghai

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-1690-TO-247S

марка: YZPST

Упаковка и доставка

Тип упаковки

1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

PST1690 серии 90A SCR

YZPST-1690-TO-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 ы е р ы е я щ е значок си л с о н контролируемом ЗАП т I F IERS, П ри ч я г ч аб л я итй к Wit ч й зве т ч е s h o ck l o a d i n g о л е г лар с U R R ан т, р ро против ида х я г ч д в / д т темп с с т р о г сопротивляться с в е LEC т р о м а е пе крестики я н т е р е п е ре л е. Th е у РЗ Е С р е бенно ЗАП о мм ен д е й е о использовании г хорошо S O L I D й ТЕ РЕЛА у, мо т о тс у CLE, ро ж е г с га г г е р, T - T o o ls e tc

SCR транзистор мощность транзистора цена с отличной ценой

A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40-150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40-125	℃
Repetitive peak off-state voltage	VDRM	1600	V
Repetitive peak reverse voltage	VRRM	1600	V
Average on-state current (TC=80℃)	IT(AV)	56	A
RMS on-state current(TC=80℃)	IT(RMS)	90	A
Non repetitive surge peak on-state current (tp=10ms)	ITSM	1250	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	7800	A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)	dI/dt	150	A/μs
Peak gate current	IGM	10	A
Peak gate power	PGM	20	W
Average gate power dissipation(Tj=125℃)	PG(AV)	2	W

E L E C TRICAL CH A R A CTERI S TICS ( T j = 25 ℃ у п меньше о т ч е р ж ISE ы ре CI е я д е)

Symbol	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Test Condition	MIN.	TYP.	MAX.	Unit
IGT	VD=12V RL=30Ω	10	-	80	mA
VGT	VD=12V RL=30Ω	-	-	1.5	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃	0.25	-	-	V
IL	IG=1.2 IGT	-	-	200	mA
IH	IT=1A	-	-	150	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate Open	1000	-	-	V/μs

С ТА ТИК C H A RA CTERI S TICS

Symbol	Parameter		Value(MAX)	Unit
VTM	ITM=110A tp=380μs	TC=25℃	1.8	V
IDRM	VD=VDRM VR=VRRM	TC=25℃	50	μA
IRRM	VD=VDRM VR=VRRM	TC=125℃	10	mA

ТЕПЛОВОЙ R E S I S T AN CE S

Symbol	Parameter	Value	Unit
Rth(j-c)	junction to case(DC)	0.27	℃/W

Детальные изображения

Горячие продукты

Сверхбыстрое обратное время восстановления 700В 200А FRED Модуль

Свяжитесь сейчас

Высокая возможность короткого замыкания 10US 1200V IGBT MODULE 450A

Свяжитесь сейчас

Антиэксплузионные демпфирующие конденсаторы с высокой безопасности 2KVDC 0,1 UF

Свяжитесь сейчас

Приводы большой мощности Тиристор Power Control 100A

Свяжитесь сейчас

15kv 100ma 2cl2fl высоковольтные диоды

Свяжитесь сейчас

TO-220A Столовая стеклянная пассивация.

Свяжитесь сейчас

Конденсатор индукционного нагрева 3 кВ высокого качества

Свяжитесь сейчас

Стандартный выпрямительный диод на 1200 В

Свяжитесь сейчас

C712L Thyristor Power Controller KT55CT

Свяжитесь сейчас

600 мА высоковольтный диод 12 кВ высоковольтный

Свяжитесь сейчас

Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Силиконовый контролируемый выпрямитель (SCR)> SCR транзистор мощность транзистора цена с отличной ценой

Согласим нас

Mr. John chang

Оставить сообщение

Свяжитесь сейчас