Высокая скорость DV/DT x0605 6A SCR
$0.0610000-39999 Piece/Pieces
$0.05≥40000Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CIF |
транспорт: | Ocean,Land,Express |
Порт: | SHAGHAI |
$0.0610000-39999 Piece/Pieces
$0.05≥40000Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CIF |
транспорт: | Ocean,Land,Express |
Порт: | SHAGHAI |
Модель: YZPST-X0605
марка: Yzpst
место происхождения: Китай
IT(RMS): 6A
IGT: ≤10mA
VDRM/VRRM: 600/800V
Tstg: -40~150℃
Tj: -40~110℃
VDRM: 600/800V
VRRM: 600/800V
ITSM: 45A
Продажа единиц жилья | : | Piece/Pieces |
Тип упаковки | : | 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа |
Скачать | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
YZPST-X0605 6 а Скрипт
ОПИСАНИЕ:
Серия X0605 SCR обеспечивает высокую скорость DV/DT с
Сильная устойчивость к электромагнитному интерфейсу. Они
особенно рекомендуются для использования на прямых волосах,
воспламенитель и т. д.
ОСНОВНОЙ ФУНКЦИИ:
symbol |
value |
unit |
IT(RMS) |
6 |
A |
IGT |
≤10 |
mA |
VDRM/VRRM |
600/800 |
V |
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~110 |
℃ |
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃) |
VDRM |
600/800 |
V |
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃) |
VRRM |
600/800 |
V |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
6 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz) |
ITSM |
45 |
A |
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
6.75 |
A2s |
Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT) |
dI/dt |
50 |
A/ μs |
Peak gate current |
IGM |
1.8 |
A |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
0.3 |
W |
Peak gate power |
PGM |
3 |
W |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TJ = 25 ℃, если не указано иное)
Symbol | Value | ||||
Test Condition | MIN | TYPE | MAX | Unit | |
IGT | - | 5 | 10 | mA | |
VGT | VD=12V, RL=33Ω | - | 0.6 | 0.8 | V |
VD=VDRM Tj=110℃ | |||||
VGD | RL=3.3kΩ | 0.2 | - | - | V |
IH | IT=50mA | - | - | 5 | mA |
IL | IG=1.2IGT | - | - | 6 | mA |
dV/dt | VD=0.66×VDRM Tj=110℃ Gate open RGK=1KΩ | V/ µs | |||
10 | - | - |
Статические характеристики
Symbol | Test Condition | Value | Unit | ||
VTM | ITM=8A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
IDRM | VDRM= VRRM | Tj=25℃ | 5 | µA | |
IRRM | RGK=1KΩ | Tj=110℃ | MAX | 100 | µA |
Тепло Сопротивление
Symbol | Test Condition | Value | Unit | |
TO-202-3 | 7.8 | |||
TO-252-4R | 6.5 | |||
junction to case(AC) | TO-126 | 7.3 | ℃/W | |
Rth(j-c) | TO-220B | 3 |
УПАКОВКА Механический ДАННЫЕ
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.