Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Силиконовый контролируемый выпрямитель (SCR)> TO220 NPN Тип транзистор 2SC2073
TO220 NPN Тип транзистор 2SC2073
TO220 NPN Тип транзистор 2SC2073
TO220 NPN Тип транзистор 2SC2073
TO220 NPN Тип транзистор 2SC2073
TO220 NPN Тип транзистор 2SC2073

TO220 NPN Тип транзистор 2SC2073

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-2SC2073

маркаYzpst

VCBO150 В

Vceo150 В

Вебо5 В

IC1,5а

Ptot75 Вт

TJ.150 ℃

TSTG-55-+150 ℃

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка коробки Caron 3. Пластическая защитная упаковка
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

YZPST-2SC2073 TO220 NPN Тип Транзистор 2SC2073
Описание продукта

Transistor NPN Transistor 2SC2073

Desrpription:
2SC2073 является транзистором типа NPN, используемой в качестве трубки питания для электронных балластов и электронных энергосберегающих ламп. Он имеет характеристики низких потерь переключения, высокой надежности, хорошей высокой температуры, подходящей скорости переключения, низкой обратной утечки и т. Д.
NPN Type Transistor

АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

150

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

150

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Continuous Collector Current

1.5

A

PTOT

Total dissipation at Tcase=25 ℃

75

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature Range

-55-150

Электрические характеристики (TC = 25 ° C, если не указано иное)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

V(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=1mA

150

 

 

V

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC=0.1mA

150

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE=1mA

-5

 

 

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB=150V, IE=0

 

 

5

μA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE=150V, IC=0

 

 

5

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB=5V, IC=0

 

 

5

μA

hFE

DC Current Gain

VCE=10V, IC=0.5A

40

 

140

 

VCE(sat)

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=0.5A, IB=50mA

 

 

0.85

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC=0.5A, IB=50mA

 

 

1.5

V

a: tp300μs,δ≤2%

Пакет механических данных

NPN Type Transistor


Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить