TO220 NPN Тип транзистор 2SC2073
$0.122000-9999 Piece/Pieces
$0.08≥10000Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | SHANGHAI |
$0.122000-9999 Piece/Pieces
$0.08≥10000Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | SHANGHAI |
Модель: YZPST-2SC2073
марка: Yzpst
VCBO: 150 В
Vceo: 150 В
Вебо: 5 В
IC: 1,5а
Ptot: 75 Вт
TJ.: 150 ℃
TSTG: -55-+150 ℃
Продажа единиц жилья | : | Piece/Pieces |
Тип упаковки | : | 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка коробки Caron 3. Пластическая защитная упаковка |
Скачать | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
Transistor NPN Transistor 2SC2073
Desrpription:
2SC2073 является транзистором типа NPN, используемой в качестве трубки питания для электронных балластов и электронных энергосберегающих ламп. Он имеет характеристики низких потерь переключения, высокой надежности, хорошей высокой температуры, подходящей скорости переключения, низкой обратной утечки и т. Д.
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
VCBO |
Collector-Base Voltage |
150 |
V |
VCEO |
Collector-Emitter Voltage |
150 |
V |
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
5 |
V |
IC |
Continuous Collector Current |
1.5 |
A |
PTOT |
Total dissipation at Tcase=25 ℃ |
75 |
W |
Tj |
Junction Temperature |
150 |
℃ |
Tstg |
Storage Temperature Range |
-55-150 |
℃ |
Symbol |
Parameter |
Test Condition |
Value |
Unit |
||
Min |
Type |
Max |
||||
V(BR)CBO |
Collector-Base Breakdown Voltage |
IC=1mA |
150 |
|
|
V |
V(BR)CEO |
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
IC=0.1mA |
150 |
|
|
V |
V(BR)EBO |
Emitter-Base Breakdown Voltage |
IE=1mA |
-5 |
|
|
V |
ICBO |
Collector Cutoff Current |
VCB=150V, IE=0 |
|
|
5 |
μA |
ICEO |
Collector Cutoff Current |
VCE=150V, IC=0 |
|
|
5 |
μA |
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB=5V, IC=0 |
|
|
5 |
μA |
hFE |
DC Current Gain |
VCE=10V, IC=0.5A |
40 |
|
140 |
|
VCE(sat) |
Collector-Base Breakdown Voltage |
IC=0.5A, IB=50mA |
|
|
0.85 |
V |
VBE(sat) |
Base-Emitter Saturation Voltage |
IC=0.5A, IB=50mA |
|
|
1.5 |
V |
a: tp≤300μs,δ≤2% |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.