Тиристор обратной проводимости 2000В

$360≥20Piece/Pieces

Вид оплаты:	L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:	FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа:	20 Piece/Pieces
транспорт:	Ocean,Air
Порт:	Shanghai

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-KT40BT-5STR03T2040

марка: YZPST

Упаковка и доставка

Продажа единиц жилья	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

ОБРАТНЫЕ ПРОВОДЯЩИЕ ТИРИСТОРЫ

YZPST-KT40BT-5STR03T2040

Особенности:
, Встроенный диод свободного хода
, Оптимизирован для низких динамических потерь

Блокировка - выключено

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
2000	2000	2100

V _RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

V _DRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния

V _RSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

10 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Заметки:

Все рейтинги указаны для Tj = 25 oC, если не указано иное.

(1) Все номинальные напряжения указаны для примененного

Синусоидальная форма волны 50 Гц / 60 Гц

диапазон температур от -40 до +125 оС.

(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса

(3) Максимальное значение для Tj = 125 oC.

(4) Минимальное значение для линейной и экспоненциальной формы волны до 80% номинального VDRM. Открытые ворота. Tj = 125 oC.

(5) неповторяющееся значение.

(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет в дополнение к полученному из убер-контура, содержащего конденсатор 0,2 мкФ и сопротивление 20 Ом параллельно тестируемому тристору.

Ведение - по состоянию

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)_M I_F_(AV)_M		360 223		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=70^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		566 351		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM I_F_SM		5000 3500		A A	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		125x10³ 61x10³		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		500		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		100		mA	V_{D =} 24 V; I =2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM V_F_M		2.61 3.42		V	I_TM = 1000 A
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		400		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

стробирование

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		-		W
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		25		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		400		mA	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		2.5		V	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Peak negative voltage	V_RG_M		2		V

динамический

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_g_d		1.0		ms	V_D=67% V_DRM, I_T=2000A, di/dt=60A/us, I_FG=2A, t_r=0.5us, T_j=25C
Turn-on time	t_gt		-
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q		40	-	ms	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us, V_r=100V, V_dr=67%V_DRM, dV_dr/dt=200V/us
Reverse recovery current	I_r_m		-		A	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us

ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+120		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c) R_Q_(j-c)_D		55 140 88 165		K/kW	Double sided cooled Single sided cooled Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		10 20		K/kW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	F	8	12	-	kN
Weight	W			-	Kg