Охранное оборудование Тиристор оптом онлайн
Получите последнюю ценуВид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | SHANGHAI |
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | SHANGHAI |
Модель: YZPST-N350SH18
марка: YZPST
Охранное оборудование Тиристор оптом онлайн
YZPST-N350SH18
Оптовое оборудование Тиристор имеет электрические характеристики и номинальные характеристики, а также некоторые варианты применения мощного тиристора для контроля фазы.
Все особенности тиристора 1800 В имеют диффузную структуру. Конфигурация с усилительными затворами. Гарантированное максимальное время выключения
, Устройство, работающее под высоким напряжением dV / dt.
Блокировка - выключено
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1800 |
1800 |
1900 |
V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение
V DRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния
V RSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
10 mA 60 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Примечания:
Все рейтинги указаны для Tj = 25 oC, если не указано иное.
(1) Все номинальные напряжения указаны для синусоидальной формы волны 50 Гц / 60 Гц в диапазоне температур от -40 до +125 ° С.
(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса
(3) Максимальное значение для Tj = 125 oC.
(4) Минимальное значение для линейной и экспоненциальной формы волны до 80% номинального VDRM. Открытые ворота. Tj = 125 oC.
(5) неповторяющееся значение.
(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет в дополнение к полученному из убер-контура, содержащего конденсатор 0,2 мкФ и сопротивление 20 Ом параллельно тестируемому тристору.
Дирижирование - по состоянию
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
1042 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)M |
|
2072 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
11.52 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
661x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.75 |
|
V |
ITM = 1700 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
стробирование
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
4 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
динамический
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
- |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
- |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
- |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
- |
- |
- |
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
32 64 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
10 |
20 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* Монтажные поверхности гладкие, плоские и смазанные
Примечание: схему и размеры корпуса см. На чертеже корпуса на странице 3 этих технических данных.
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.