Продвижение Power Thyristor с лучшей ценой 1200 В
Получите последнюю ценуВид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | SHANGHAI |
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | SHANGHAI |
Модель: YZPST-R1271NS12C
марка: Yzpst
Продажа единиц жилья | : | Others |
Скачать | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
Высокая силовая тиристоры для продвижения по службе
YZPST-R1271NS12C
Высокая мощность тиристора для применений управления фазой
Сила тиристоров функций : Вся рассеянная структура . Гарантированное максимальное время отключения . Междигитированная конфигурация усиливающегося затвора
Анкет Высокая способность DV/DT . Собранное устройство
Электрические характеристики и рейтинги
Блокировка - вне штата
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1200 |
1200 |
1300 |
V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение
V DRM = повторяющийся пик от напряжения состояния
V RSM = не повторяющееся пиковое обратное напряжение (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 150mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
Заметки:
Все рейтинги указаны для TJ = 25 OC, если не указано иное.
(1) Все рейтинги напряжения указаны для приложенной синусоидальной формы волны 50 Гц/60zhz в диапазоне температур от -40 до +125 oc.
(2) 10 мс. Максимум. ширина пульса
(3) Максимальное значение для TJ = 125 OC.
(4) Минимальное значение для линейного и экспоненциального волны до 80% рейтинга VDRM. Ворота открыты. TJ = 125 OC.
(5) НЕПРАВИЛЬНОЕ ЗНАЧЕНИЕ.
(6) Значение DI/DT устанавливается в соответствии со стандартом EIA/NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет в дополнение к тому, что было получено из схемы UBBER, включающего конденсатор 0,2 F и 20 омсрезистентности параллельно с тестированием Thristor.
Проведение - на государстве
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
1271 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
2599 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
18.0 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.62x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.02 |
|
V |
ITM = 2000 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Стробирование
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
2 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Динамика
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
15 |
- |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
Тепловые и механические характеристики и оценки
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
24 48 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
19 |
25 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* Монтажные поверхности гладкие, плоские и смазанные смазаны
ПРИМЕЧАНИЕ. Для описания и размеров дела см. В рисунке.
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.