3 квадранта продукта особенно рекомендуется BTA26 Serie 26A 800CW Triacs
$0.711000-9999 Piece/Pieces
$0.56≥10000Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Land,Others |
Порт: | SHANGHAI |
$0.711000-9999 Piece/Pieces
$0.56≥10000Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Land,Others |
Порт: | SHANGHAI |
Модель: YZPST-BTA26-800CW
марка: Yzpst
место происхождения: Китай
IT(RMS): 26A
VDRM: 800V
VRRM: 800V
VTM: ≤1.5V
Tstg: -40~150℃
TJ.: -40 ~ 125 ℃
ITSM: 260A
I2t: 350A2s
Продажа единиц жилья | : | Piece/Pieces |
Тип упаковки | : | 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Тренанка |
Скачать | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
BTA26/BTB26Series 26A Triacs
3 квадранта продукта особенно рекомендуется BTA26 Serie 26A 800CW Triacs
ОПИСАНИЕ:С высокой способностью выдерживать ударную нагрузку большого тока, трияки серии BTA26/BTB26 обеспечивают высокую скорость DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному разделам. При высоких выступлениях коммутации 3 квадранта, особенно рекомендованные для использования при индуктивной нагрузке. От всех трех терминалов до внешнего радиатора, BTA26 обеспечивает номинальное изоляционное напряжение 2500 VRM, соответствующих стандартам UL
YZPST BRAND TO-3PA BTA26-800B 800V TRIAC
Основные особенности:
symbol |
value |
unit |
IT(RMS) |
26 |
A |
VDRM/VRRM |
600/800/1200/1600 |
V |
VTM |
≤1.5 |
V |
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ:
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
℃ |
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃) |
VDRM |
600/800/1200/1600 |
V |
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃) |
VRRM |
600/800/1200/1600 |
V |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
26 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz) |
ITSM |
260 |
A |
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
350 |
A2s |
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT) |
dI/dt |
50 |
A/ μs |
Peak gate current |
IGM |
4 |
A |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
1 |
W |
Peak gate power |
PGM |
10 |
W |
Электрические характеристики (TJ = 25 ℃, если не указано иное)
3 квадранта :
Parameter | Value | |||||
Test Condition | Quadrant | CW | BW | Unit | ||
IGT | VD=12V, | 35 | 50 | mA | ||
VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0.2 | V | |
IH | IT=100mA | MAX | 60 | 80 | mA | |
Ⅰ-Ⅲ | 70 | 90 | ||||
IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 80 | 100 | mA |
VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open | ||||||
dV/dt | MIN | 1000 | 1500 | V/ µs |
4 квадранта :
Parameter | Value | |||||
Test Condition | Quadrant | C | B | Unit | ||
Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
VGD | VD=VDRM | ALL | MIN | 0.2 | V | |
IH | IT=100mA | MAX | 60 | 75 | mA | |
Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 70 | 80 | ||||
IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 90 | 100 | mA |
VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open | ||||||
dV/dt | MIN | 200 | 500 | V/ µs |
Статические характеристики
Symbol | Test Condition | Value | Unit | ||
VTM | ITM=35A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
IDRM | Tj=25℃ | 10 | µA | ||
IRRM | VDRM= VRRM | Tj= 125℃ | MAX | 3 | mA |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.