PSTA62166 диаметр 75 мм Асимметричный тиристор 2500V
Получите последнюю ценуВид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | Shanghai |
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | Shanghai |
Модель: YZPST-KN1000A25-BSTR62166
марка: YZPST
Асимметричные тиристоры
YZPST-KN1000A25-BSTR62166
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ
Асимметричные тиристоры Тип: YZPST A60120
Заметки:
Все рейтинги указаны для Tj = 25 oC, если только
в противном случае указано.
(1) Все номинальные напряжения указаны для примененных
50 Гц / 60 Гц синусоидальная волновая форма над
диапазон температур от -40 до +125 oC.
(2) 10 мсек. Максимум. ширина импульса
(3) Максимальное значение для Tj = 125 oC.
(4) Минимальное значение для линейного и экспоненциального
wavehape до 80% номинальной VDRM. Открытые ворота.
Tj = 125 oC.
(5) Неповторимое значение.
(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии с
с стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел
5-2-2-6. Определенное значение будет в добавлении
к полученному из схемы демпфера,
включающий конденсатор 0,2 мкФ и 20 Ом
сопротивление параллельно с
тестовое задание.
Состояние блокировки - выкл.
VRRM (1) |
VDRM (1) |
20 |
1800 |
V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение
V DRM = повторяющееся пиковое напряжение на выходе
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
100 mA
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Проведение - по состоянию
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
1000 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2000 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
20
|
|
KA |
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
2x106 |
|
A2s |
10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.42 |
|
V |
ITM =2000 A; Tj = 125 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
800 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ
стробирование
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 300 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 3.0 - |
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
5 |
|
V |
|
динамический
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
1.6 |
0.8 |
ms |
ITM =500 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
- |
25 |
ms |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
- |
- |
mC |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V |
* Для гарантированного макс. значение, свяжитесь с фабрикой.
ТЕРМИЧЕСКИЕ И МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistance - case to heatsink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistance - junction to heatsink |
RQ (j-s) |
|
0.02 0.04 |
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
P |
19 |
26 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
g |
about |
* Монтажные поверхности гладкие, плоские и смазанные
Примечание: для контуров и размеров корпуса см. Рисунок схемы корпуса на последней странице настоящих технических данных
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.