$601-99 Piece/Pieces
$48≥100Piece/Pieces
| Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
| Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
| Количество минимального заказа: | 1 Piece/Pieces |
| транспорт: | Ocean,Air |
| Порт: | SHANGHAI |
Оттенок:
Модель: YZPST-A1237NC280
марка: YZPST
Асимметричный тиристор
YZPST-A1237NC280
Компания Asymmetric Thyristor 25V прошла сертификацию системы качества ISO9001, и качество гарантировано. Подходит для ваших потребностей SCR.
Блокировка - выключено
|
VDRM (1) |
VDSM (1) |
VRRM (1) |
VRSM(1) |
|
2800 |
2800 |
30 |
30 |
V DRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния
V RSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение
Ноты:
Все рейтинги указаны для Tj = 25 o C, если только
в противном случае указано.
(1) Все номинальные напряжения указаны для примененного
50 Гц / 60 Гц синусоидальная форма волны над
диапазон температур от -40 до + 125 o С.
(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса
(3) Максимальное значение для Tj = 125 o C.
(4) Минимальное значение для линейного и экспоненциального
форма волны до 80% номинального V DRM . Открытые ворота.
Tj = 125 o C.
(5) неповторяющееся значение.
(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии
со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел
5-2-2-6. Определенное значение будет в
к тому, что получено из демпфирующей цепи,
содержащий конденсатор 0,2 мФ и 20 Ом
Сопротивление параллельно с тристором под
тест.
|
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
10 mA 60 mA (3) |
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
3000 V/msec |
Ведение - по состоянию
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
1237 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
|
RMS value of on-state current |
ITRMSM |
|
2555 |
|
A |
Nominal value |
|
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
18 |
|
KA
KA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
|
I square t |
I2t |
|
1.62x103 |
|
KA2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
|
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
|
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
|
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.1 |
|
V |
ITM = 2000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =125 oC |
|
Threshold vlotage |
VT0 |
|
1.7 |
|
V |
|
|
Slope resistance |
rT |
|
0.21 |
|
mΩ |
|
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
2000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
|
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
стробирование
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
10 |
|
W |
|
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 400 - |
|
mA mA mA |
VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 3.0 -
|
|
V V V |
VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
10 |
|
V |
|
динамический
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Delay time |
td |
|
- |
1 |
ms |
ITM = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
|
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
- |
20 |
ms |
ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cycle ³ 0.01% |
|
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
- |
- |
mC |
ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -50 V |
ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/KW |
Double sided cooled Single sided cooled |
|
Thermal resistamce - case to heatsink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
|
Thermal resistamce - junction to heatsink |
RQ (j-s) |
|
24 48 |
|
K/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
|
Mounting force |
P |
19 |
26 |
|
kN |
|
|
Weight |
W |
|
|
510 |
g |
About |
Номер Телефона : 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
сайт: https://www.yzpst.ru
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Contact Now