Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Силиконовый контролируемый выпрямитель (SCR)> 650V BT151-650R-L TO-220 12A SCR
650V BT151-650R-L TO-220 12A SCR
650V BT151-650R-L TO-220 12A SCR
650V BT151-650R-L TO-220 12A SCR
650V BT151-650R-L TO-220 12A SCR
650V BT151-650R-L TO-220 12A SCR
650V BT151-650R-L TO-220 12A SCR
650V BT151-650R-L TO-220 12A SCR
650V BT151-650R-L TO-220 12A SCR

650V BT151-650R-L TO-220 12A SCR

$0.125000-49999 Piece/Pieces

$0.1≥50000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-BT151-650R-L

маркаYzpst

место происхожденияКитай

IT(RMS)12A

VDRM650V

VRRM650V

IGT15mA

TSTG-40 ~ 150 ℃

TJ.-40 ~ 125 ℃

ITSM100A

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

SCR BT151-650R-L TO220
Описание продукта

BT151 серия 12A SCRS

YZPST-BT151-650R-L

ОПИСАНИЕ:

Glasspassivated Thyristors в Aplastic Overvelope, серия BT151 SCRS подходит для оборудования всех способов управления, обнаруженных в таких приложениях, как защита от перепадного лопа, циркуиты управления двигателем и регулирование пилота и кухонные средства, ограничивающие схемы тока.

YZPST-BT151X-650R

ОСНОВНОЙ ФУНКЦИИ

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

12

A

VDRM VRRM

650

V

IGT

15

mA

Абсолютный Максимум Рейтинги

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40 ~ 150

Operating junction temperature range

Tj

-40~ 125

Repetitive peak off-state voltage (T =25)

VDRM

650

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25)

VRRM

650

V

RMS on-state current (T = 105)

IT(RMS)

12

A

Non repetitive surge peak on-state current

( 180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

100

A

Average on-state current ( 180° conduction angle)

IT(AV)

8

A

I2t value for fusing (tp= 10ms)

I2t

45

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2 ×IGT, tr  ≤   100 ns)

di/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Электрический ХАРАКТЕРИСТИКИ (T = 25, если в противном случае указано )

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V = 12V R = 140Ω

MAX.

15

mA

VGT

MAX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj=125 R= 1KΩ

MIN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT

MAX.

50

mA

IH

IT=50mA

MAX.

30

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open    Tj=125

MIN.

400

V/μs

Статические характеристики

Symbol Parameter ValueMAX. Unit
VTM ITM =23A tp=380μs Tj =25 1.6 V
IDRM VD=VDRM VR=VRRM Tj =25 5 μA
IRRM Tj =125 2 mA

Тепло Сопротивление

Symbol Parameter Value Unit
TO-220M1 60
Rth(j-a) junction to    ambient TO-220FW 50
TO-252 70
TO-220M1 1.5 /W
Rth(j-c) Junction to case TO-220FW 4.5
TO-252 2

До-220 Упаковка Механический Данные
YZPST-BT151-500R-L TO-220


Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить