Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль IGBT> PIM с траншевым полем IGBT, управляемым эмиттером диодом и крионом NTC
PIM с траншевым полем IGBT, управляемым эмиттером диодом и крионом NTC
PIM с траншевым полем IGBT, управляемым эмиттером диодом и крионом NTC
PIM с траншевым полем IGBT, управляемым эмиттером диодом и крионом NTC
PIM с траншевым полем IGBT, управляемым эмиттером диодом и крионом NTC
PIM с траншевым полем IGBT, управляемым эмиттером диодом и крионом NTC
PIM с траншевым полем IGBT, управляемым эмиттером диодом и крионом NTC
PIM с траншевым полем IGBT, управляемым эмиттером диодом и крионом NTC

PIM с траншевым полем IGBT, управляемым эмиттером диодом и крионом NTC

$3810-49 Piece/Pieces

$31≥50Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Express,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-P035PJE120AT1B

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VCES1200 В.

Vges± 20 В.

IC35а

CRM70A

Ptot172 Вт

Vce (sat)2.15 В.

VgE(th5.6V

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка коробка 3.
Пример с картинкой :
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

P035PJE120AT1B2
Описание продукта
PIM с плащным полем ЛГБТ, эмиттер-контролируемым диодом и NTC
YZPST-P035PJE120AT1B
Функции
Транч+Полевая остановка технология
Trench-Stop 1200 В IGBT
Lowvce (SAT) с низкими потери переключения
Приложения
Частотные чехлы
Моторные диски
Вспомогательные инверторы
YZPST-P035PJE120AT1B
Эквивалентная схема схемы
Equivalent Circuit Schematic

IGBT-инвертер

Максимум Рейтинг Ценности

Symbo

Description

Conditions

Values

Unit

VCES

Collector-Emitter Voltage

Ty=25℃

1200

V

VGEs

Gate-Emitter Peak Voltage

Ty=25℃

±20

V

Ic

Continuous DC Collector Current

Tc=100℃

35

A

CRM

Repetitive Peak Collector Current

tp=1ms

70

A

Ptot

Total Power Dissipation

Tc=25℃,Tyimax=175℃

172

W

Характерные значения

 

Symbo

 

Description

 

Conditions

Values

 

Unit

Min

Typ.

Max.

VcE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

VGE=15V,Ic=35A,Ty=25℃

 

2.15

 

V

VGE=15V,Ic=35A,Tv=125℃

 

2.57

 

V

VgE(th

Gate Threshold Voltage

VGE=VcE,c=1.2mA

 

5.6

 

V

CES

Collector-Emitter Cut-Off Current

VcE=1200V,VGE=0V

 

 

1

mA

GES

Gate-Emitter Leakage Current

VGE=20V,VcE=0V

 

 

100

nA

Cies

Input Capacitance

 

VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz

 

2590

 

pF

Coes

Output Capacitance

 

180

 

pF

Cres

Reverse Transfer Capacitance

 

86

 

pF

td(on)

Turn-on Delay Time

 

VcE=600V  VGF=±15V Ic=35A

Rg=120

Inductive Load Ty=25℃

 

34

 

ns

t

Turn-on Rise Time

 

20

 

ns

td(off)

Turn-off Delay Time

 

230

 

ns

t

Turn-off Fall Time

 

160

 

ns

Eon

Turn-on Switching Loss

 

2.5

 

mJ

Eoff

Turn-off Switching Loss

 

2.5

 

mJ

lsc

Short Circuit Data

VGE≤15V,Vcc=800V  tp≤10μs,Tv=150℃

 

151

 

A

RthJC

Thermal Resistance,Junction to Case

Per IGBT

 

 

0.87

K/W

Tw OF

Virtual JunctionTemperature

Under Switching

-40

 

150

Схема упаковки (мм)
P035PJE120AT1B Outline
Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль IGBT> PIM с траншевым полем IGBT, управляемым эмиттером диодом и крионом NTC
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить