Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль IGBT> Структура модуля низкой индуктивности 1200 В 400A модуль мощности IGBT
Структура модуля низкой индуктивности 1200 В 400A модуль мощности IGBT
Структура модуля низкой индуктивности 1200 В 400A модуль мощности IGBT
Структура модуля низкой индуктивности 1200 В 400A модуль мощности IGBT
Структура модуля низкой индуктивности 1200 В 400A модуль мощности IGBT
Структура модуля низкой индуктивности 1200 В 400A модуль мощности IGBT
Структура модуля низкой индуктивности 1200 В 400A модуль мощности IGBT
Структура модуля низкой индуктивности 1200 В 400A модуль мощности IGBT

Структура модуля низкой индуктивности 1200 В 400A модуль мощности IGBT

$1325-49 Piece/Pieces

$98≥50Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Express,Others
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-FF600R12ME4

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VCES1200 В.

IC600A

ICRM1200A

Vges± 20 В.

Ptot3750W

Tvjop-40--+150℃

Tstg-40--+125℃

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Пример с картинкой :
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

IGBT MODULE FF600R12ME4
Описание продукта
YZPST-FF600R12ME4
Модуль мощности IGBT
Приложения
Инвертор для моторного привода
Усилитель сервопривода AC и DC DC
UPS (бесперебойные расходные материалы)
Функции
Низкий VCE (SAT) с технологией SPT+
VCE (SAT) с положительным коэффициентом температуры
Включая антипараллельный FWD Fast & Soft Recovery
Высокая возможность короткого замыкания (10US)

Структура модуля низкой индуктивности

YZPST-FF600R12ME4 IGBT

Абсолютный Максимум Рейтинги

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

600

A

Peak Collector Current

ICRM

ICRM=2IC

1200

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

3750

W

Характеристики IGBT

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate-emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =3mA,Tvj=25 5 5.8 6.5 V
VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25 1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125 5 mA
Collector-Emitter Ic=600A,VGE=15V, Tvj=25 1.7 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=600A,VGE=15V, Tvj=125 2 V
Input Capacitance Cies 43.1 nF
Output Capacitance Coes VCE=25V,VGE =0V, 2.25 nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25 1.95 nF
Internal Gate Resistance Rgint 1.25 Ω
Turn-on Delay Time td(on) 250 ns
Rise Time tr IC =600 A 88 ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 600 V 560 ns
Fall Time tf VGE = ±15V 131 ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 1.2Ω 33.1 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25 57.8 mJ
Turn-on Delay Time td(on) 300 ns
Rise Time tr IC =600 A 102 ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 600 V 650 ns
Fall Time tf VGE = ±15V 180 ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 1.2Ω 50.2 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125 87.8 mJ
Tp≤10us,VGE=15V,
SC Data Isc Tvj=150,Vcc=600V, 2400 A
VCEM≤1200V

Упаковка Размеры

FF600R12ME4 Package


Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль IGBT> Структура модуля низкой индуктивности 1200 В 400A модуль мощности IGBT
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить