FF600R17ME4 600B170E53 1700V модуль мощности IGBT

Name: YZPST-FF600R17ME4
Uploaded: 2024-11-01T08:49:22+08:00
Description: YZPST-FF600R17ME4

$15110-19 Piece/Pieces

$121≥20Piece/Pieces

Option:

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-FF600R17ME4 (600B170E53)

марка: Yzpst

место происхождения: Китай

VCES: 1700V

IC: 600A

ICRM: 1200A

Vges: ± 20 В.

Ptot: 4286W

ICES: 1.0mA

Упаковка и доставка

Продажа единиц жилья	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка коробка 3.
Пример с картинкой	:
Скачать	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

YZPST-FF600R17ME4



Описание продукта

P/N: YZPST-600B170E53 (YZPST-FF600R17ME4)

Приложения

Инвертор для моторного привода

Усилитель сервопривода AC и DC DC

UPS (бесперебойные расходные материалы)

Функции

Низкий VCE (SAT) с технологией SPT+ IGBT

VCE (SAT) с положительным коэффициентом температуры

Включая антипараллельный FWD Fast & Soft Recovery

Высокая возможность короткого замыкания (10US)

Структура модуля низкой индуктивности

Максимальная температура соединения 175 ℃

Абсолютные максимальные оценки

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Collector-Emitter Voltage	VCES	VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃	1700	V
Continuous Collector Current	IC	Tc=100℃	600	A
Peak Collector Current	ICRM	ICRM =2IC	1200	A
Gate-Emitter Voltage	VGES	Tvj=25℃	±20	V
Total Power Dissipation (IGBT-inverter)	Ptot	Tc=25℃ Tvjmax=175℃	4286	W

Характеристики IGBT

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Gate-emitter Threshold Voltage	VGE(th)	VGE=VCE, IC =24mA,Tvj=25℃	5.4	6.2	7.4	V
Collector-Emitter Cut-off Current	ICES	VCE=1700V,VGE=0V, Tvj=25℃			1	mA
		Ic=600A,VGE=15V, Tvj=25℃		2.4	2.75	V
		Ic=600A,VGE=15V, Tvj=125℃		2.8		V
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)	Ic=600A,VGE=15V, Tvj=150℃		2.9		V
Input Capacitance	Cies			40		nF
Output Capacitance	Coes			2.09		nF
Reverse Transfer Capacitance	Cres	VCE=25V,VGE =0V, f=1MHz, Tvj=25℃		1.44		nF
Turn-on Delay Time	td(on)			180		ns
Rise Time	tr			100		ns
Turn-off Delay Time	td(off)			300		ns
Fall Time	tf	IC =600 A		100		ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	VCE = 900 V VGE = ±15V RG = 1.0Ω Tvj=25℃		150		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff			100		mJ
Turn-on Delay Time	td(on)			190		ns
Rise Time	tr			110		ns
Turn-off Delay Time	td(off)			350		ns
Fall Time	tf	IC =600 A		150		ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	VCE = 900 V VGE = ±15V RG = 1.0Ω Tvj=125℃		225		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff			160		mJ