Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль IGBT> YZPST 1200V 150B120F23 IGBT модуль питания
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT модуль питания
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT модуль питания
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT модуль питания
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT модуль питания
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT модуль питания
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT модуль питания
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT модуль питания

YZPST 1200V 150B120F23 IGBT модуль питания

$31.510-99 Piece/Pieces

$23.5≥100Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-150B120F23

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VCES1200 В.

IC150A

ICRM300A

Vges± 20 В.

Ptot968W

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Модуль IGBT 1200V150A 150B120F23
Описание продукта
Модуль мощности IGBT YZPST-150B120F23
VCE = 1200V IC = 150a
Приложения
Инвертор для моторного привода
Усилитель сервопривода AC и DC DC
UPS (бесперебойные расходные материалы)
Сварная сварочная машина
Функции
Низкий VCE (SAT) с технологией полета траншеи
VCE (SAT) с положительным коэффициентом температуры
Включая антипараллельное FWD Fast & Soft Recovery
Высокая возможность короткого замыкания (10US)
Структура модуля низкой индуктивности

Максимальная температура соединения 175 ℃

IGBT

Абсолютный Максимум Рейтинги

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

150

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

300

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

968

W

Характеристики IGBT

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =4mA,Tvj=25 5.2 6 6.8 V
    VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25     1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125     5 mA
Collector-Emitter   Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25   1.8 2.1 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125   2   V
Input Capacitance Cies     9.8   nF
Output Capacitance Coes VCE=25V,VGE =0V,   0.82   nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25   0.48   nF
Internal Gate Resistance Rgint     2.5   Ω
Turn-on Delay Time td(on)     185   Ns
 
Rise Time tr IC =150 A   55   Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE = 600 V   360   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   115   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 5.1Ω   15.4   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25   11.6   mJ
Turn-on Delay Time td(on)     200   Ns
 
 
Rise Time tr IC =150 A   60   Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 600 V   420   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   120   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =5.1Ω   23.2   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125   17   mJ
    Tp≤10us,VGE=15V,        
SC Data Isc Tvj=150,Vcc=600V, 500 A
    VCEM≤1200V    

Характеристики диода

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Diode DC Forward Current IF Tc=100   150   A
Diode Peak Forward Current IFRM     300   A
    IF=150A,Tvj=25   1.8 2.3 V
Forward Voltage VF IF=150A,Tvj=125   1.85   V
Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Recovered Charge Qrr     13.4   uC
 
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V   143   A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us   160   ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25   9.1   mJ
Recovered Charge Qrr     26.1   uC
 
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V   178   A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us   440   ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125   15.4   mJ

Характеристики модуля t c = 25 ° C, если не указано иное

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500     V
Maximum Junction Temperature Tjmax       150
Operating Junction Temperature Tvjop   -40   125
Storage Temperature Tstg   -40   125
    per IGBT-inverter     0.155 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter     0.292 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied   0.05   K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5   5 N·m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3   5 N·m
Weight of Module G     150   g

Упаковка Размеры

YZPST-150B120F23 Dimensions

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить