Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Би -указания тиристор (триак)> BTA208X-600E Triac High DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному границе раздела
BTA208X-600E Triac High DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному границе раздела
BTA208X-600E Triac High DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному границе раздела
BTA208X-600E Triac High DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному границе раздела
BTA208X-600E Triac High DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному границе раздела
BTA208X-600E Triac High DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному границе раздела
BTA208X-600E Triac High DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному границе раздела
BTA208X-600E Triac High DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному границе раздела

BTA208X-600E Triac High DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному границе раздела

$0.145000-49999 Piece/Pieces

$0.1≥50000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Others,Ocean
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-BTA208X-600E

маркаYzpst

место происхожденияКитай

IT(RMS)8A

VDRM600V

VRRM600V

VTM≤1.5V

ITSM80A

I2t32A2S

DI/dt50A/ μs

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Пример с картинкой :
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Triac BTA208X-600E TO220F
Описание продукта

BTA208 Series 8A Triacs

YZPST-BTA208X-600E

ОПИСАНИЕ:
С высокой способностью выдерживать ударную нагрузку больших
Ток, Triacs серии BTA208 обеспечивает высокий DV/DT
Скорость с сильной устойчивостью к электромагнитному разделам.
С высокими выступлениями, 3 квадранта
Продукты особенно рекомендуются для использования на индуктивном
нагрузка. От всех трех терминалов до внешнего радиатора,
BTA208 обеспечивает номинальное напряжение изоляции 2500 VRM

S соблюдает стандарты UL (файл ref: e516503).

TO 22OF


ОСНОВНОЙ ФУНКЦИИ:

symbol

value

unit

IT(RMS)

8

A

VDRM/VRRM

600/800

V

VTM

≤1.5

V

Абсолютный Максимум Рейтинги:

Symbol

Parameter

Value

Unit

ITSM

Non repetitive surge peak on-state

Current (tp=10ms)

80

A

I2t

(tp=10ms)

32

A2S

dI/dt

IG=2IGT tr100ns,Tj=125

50

A/ μs

IGM

Peak gate current(tp=20us)

2

A

PG(AV)

Average gate power

1=0.5

W

Tstg

Tj

Storage temperature

Operating junction temperature

-40--+125

-40--+125

Viso

AC RMS App lied for 1 minute Between lead and case

 

1800

 

V

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

32

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

5

W

Электрические характеристики (TJ = 25 , если не указано иное)

Parameter Value
Test Condition Quadrant TW SW CW BW Unit
IGT VD=12V, 5 10 35 50 mA
VGT RL=33Ω - - MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM - - MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 10 20 40 60 mA
- 20 25 50 70
IL IG=1.2IGT MAX 25 35 70 90 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 50 200 500 1000 V/ µs

 

 

70

90

 

 

dV/dt

VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open

 

MIN

 

200

 

500

 

V/ µs

Статические характеристики

Symbol Test Condition Value Unit
VTM ITM=11A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.5 V
IDRM Tj=25 5 µA
IRRM VDRM= VRRM Tj= 125 MAX 1 mA

УПАКОВКА Механический ДАННЫЕ

TO-220F

Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Би -указания тиристор (триак)> BTA208X-600E Triac High DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному границе раздела
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить