150A Thyristor Module, подходящий для низкого напряжения, 3 -фазовые применения выпрямителя

150A Thyristor Module, подходящий для низкого напряжения, 3 -фазовые применения выпрямителя

$2550-199 Piece/Pieces

$18≥200Piece/Pieces

Вид оплаты:	L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:	FOB,CFR,CIF
транспорт:	Ocean,Land
Порт:	SHANGHAI

Option:

IT(AV)：150A
ITRMS:230A
ITSM:3000A
I2t:38kA2S
VDRM/VRRM:400/400V

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-PWA-150A06

марка: Yzpst

место происхождения: Китай

IT(AV): 150A

ITRMS: 230A

ITSM: 3000A

I2t: 38kA2S

VDRM/VRRM: 400/400V

Di/dt: 100A/us

Viso: 3000V

Tj: -30 ~ + 150℃

Tstg: -30 ~ + 125℃

Упаковка и доставка

Продажа единиц жилья	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Пример с картинкой	:
Скачать	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Тиристор модуль PWA-150A06



Описание продукта

Тиристорные модули Тип: YZPST-PWA150SA-4

Этот продукт является тиристорным модулем, подходящим для низкого напряжения, 3 фазовых выпрямительных применений.

· IT (AV) 150A (каждое устройство)
· Высокий ток 3000 A (60 Гц)
· Легкая конструкция
· Неизолированные. Монтажная база в качестве общего анодного терминала
Приложения
· Сварка питания
· Различный источник питания постоянного тока

Максимальные рейтинги

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_T(AV)	Single phase,half wave,180° conduction, T_C=116°C	150	A
I_TRMS	Single phase,half wave,180° conduction, T_C=116°C	230	A
I_TSM	T_j=150°C	3000	A
I²t	T_j=150°C	38	kA²S
V_DRM/V_RRM		400/400	V
di/dt	non-repetitive	100	A/us
V_iso	A.C.1minute	3000	V
T_j		-30 ~ + 150	°C
T_stg		-30 ~ + 125	°C
W	approximate	250	g

Электрические характеристики

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_DRM /I_RRM	AtV_DRM,Single phase,half wave,T_j=150°C	40	mA
V_TM	On-State Current 450A,T_j=150°C	1.2	V
V_T(TO)	T_j=150°C	-	V
t_gd	T_j=25°C	-	us
t_q	T_j=150°C	-	us
I_GT/V_GT	T_j=25°C	100 / 3.0	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM , T_j=150°C	0.25	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	200	V/us
I_H	T_j=25°C	-	mA
I_L	T_j=25°C	-	mA
R_th(j-c)	Per Module	0.15	°C/W