Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Кремниевый транзистор> Быстрое переключение 500 В n-канальное мощный мосфект
Быстрое переключение 500 В n-канальное мощный мосфект
Быстрое переключение 500 В n-канальное мощный мосфект
Быстрое переключение 500 В n-канальное мощный мосфект
Быстрое переключение 500 В n-канальное мощный мосфект
Быстрое переключение 500 В n-канальное мощный мосфект
Быстрое переключение 500 В n-канальное мощный мосфект

Быстрое переключение 500 В n-канальное мощный мосфект

$0.255000-19999 Piece/Pieces

$0.19≥20000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Express,Others
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-SP13N50K

место происхожденияКитай

PackageTO-220

VDSS500V

ID13A

IDM52A

VGSS±30V

EAS550mJ

EAR65mJ

PD60W

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Пример с картинкой :
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

MOSFET N-Channel SP13N50K TO220
Описание продукта
P/N: YZPST-SP13N50KF
500 В n-канальный мощный MOSFET
ФУНКЦИИ
Быстрое переключение
100% проверенный лавиной
Улучшенная способность DV/DT
ПРИЛОЖЕНИЯ
Питание режима переключения (SMP)
Бесперебойный источник питания (UPS)

Коррекция коэффициента мощности (PFC)

Yzpst Sp13n50k To 220 Jpg

Device Ordering Marking Packing Information

 

Ordering Number

 

Package

 

Marking

 

Packing

 

SP13N50KF

 

TO-220

 

SP13N50KF

Tube


Absolute Maximum Ratings  TC  = 25ºC, unless otherwise noted
Value
Parameter Symbol TO-220 Unit
Drain-Source Voltage (VGS  = 0V) VDSS 500 V
Continuous Drain Current ID 13 A
Pulsed Drain Current                                           (note1) IDM 52 A
Gate-Source Voltage VGSS ±30 V
Single Pulse Avalanche Energy                         (note2) EAS 550 mJ
Repetitive Avalanche Energy                             (note1) EAR 65 mJ
Power Dissipation (TC  = 25ºC) PD 60 W
Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55~+150 ºC
Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.
Thermal Resistance
Value
Parameter Symbol TO-220 Unit
Thermal Resistance, Junction-to-Case RthJC 2.1 ºC/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RthJA 100

Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Кремниевый транзистор> Быстрое переключение 500 В n-канальное мощный мосфект
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить