Мощность транзистор СМД 110В STC2326

Получите последнюю цену

Вид оплаты:	L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:	FOB,CFR,CIF
транспорт:	Ocean,Air
Порт:	SHANGHAI

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-STC2326

марка: YZPST

Описание продукта

БTA30 серии Симисторы

YZPST-STC2326

Описание

В STC2326 является N-канальный логический режим повышения мощности полевой транзистор, который производится с использованием супер высокая плотность клеток КМО trench технологии. В STC2326 была разработана специально для того, чтобы повысить общую эффективность постоянного тока/ DC преобразователей с помощью синхронных или обычных регуляторов переключения ШИМ. Она была оптимизирована для низкий заряд затвора, низкий RDS(на) и быстрого переключения скорости.

Приложения

Системы Питания

Постоянного тока/DC преобразователь

Выключатель Нагрузки

Особенности

110В/3А,RDS(дальше)=310mΩ при vgs=10В

Высокая плотность конструкции клетки для крайне низкий RDS (на)

Исключительные устойчивость и максимальный постоянный ток возможность

Корпус sot-23-6л дизайн упаковки

КОНФИГУРАЦИЯ ВЫВОДОВ(КОРПУС SOT-23-6Л)

mosfet STC2326 (1)

Pin	Symbol	Description
1	D	Drain
2	D	Drain
3	G	Gate
4	S	Source
5	D	Drain
6	D	Drain

ОПРИКАЗИНГ ВФОРМАТЯОН

Part Number	Package	Part Marking
SPN2326S26RGB	SOT-23-6L	26YW

АБСУлте мАхяМуМ РАТВГС (ТА=25℃ уНЛЕыы отчершяые нотед)

Parameter		Symbol	Typical	Unit
Drain-Source Voltage		VDSS	110	V
Gate –Source Voltage		VGSS	±20	V
Continuous Drain Current(TJ=150℃)	TA=25℃	ID	3.0	A
	TA=70℃		2.0
Pulsed Drain Current		IDM	10	A
Power Dissipation	TA=25℃	PD	2.0	W
	TA=70℃		1.3
Operating Junction Temperature		TJ	-55/150	℃
Storage Temperature Range		TSTG	-55/150	℃
Thermal Resistance-Junction to Ambient		RθJA	62.5	℃/W

Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ	Max.	Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage	V(BR)DSS	VGS=0V,ID=250uA	110			V
Gate Threshold Voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=250uA	1	2.0	2.5	V
Gate Leakage Current	IGSS	VDS=0V,VGS=±20V			±100	nA
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=80V,VGS=0V			1	uA
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=80V,VGS=0V TJ=125℃			5	uA
On-State Drain Current	ID(on)	VDS≥5V,VGS =10V	3.0			A
Drain-Source On-Resistance	RDS(on)	VGS= 10V,ID=3A		0.26	0.31	Ω
Forward Transconductance	gfs	VDS=10V,ID=3A		2.4		S
Diode Forward Voltage	VSD	IS=1A,VGS =0V			1.2	V
Dynamic
Total Gate Charge	Qg	VDS=80V,VGS=10V ID= 5A		9	13	nC
Gate-Source Charge	Qgs			2
Gate-Drain Charge	Qgd			1.4
Input Capacitance	Ciss	VDS=25,VGS=0V f=1MHz		508		pF
Output Capacitance	Coss			29
Reverse Transfer Capacitance	Crss			16.5
Turn-On Time	td(on)	VDD=50V,RL=10Ω ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω		2		nS
Turn-On Time	tr			21.5
Turn-Off Time	td(off)			11.2
Turn-Off Time	tf			18.8