К-247 преобразователя Комплементарных транзисторов NPN

Получите последнюю цену

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-2SDW100

марка: YZPST

Описание продукта

Комплементарные транзисторы Дарлингтона

YZPST-2SDW100

Особенности

■ Комплементарное NPN - PNP транзисторы

Монолитные конфигурации ■ Дарлингтон

Приложения

Аудио ■ усилитель мощности

■ Постоянного тока в переменный конвертер

■ Низкое напряжение привод мотора DC

Общие ■ целью коммутации

Описание

Устройства изготавливаются по планарной технологии с [база остров" и монолитовой конфигурации Дарлингтона.

ТАБЛе 1. ДЕВЯСЕ Срезюме

Order code

Marking

Package

Packaging

2SDW100

TO-247

Tube

2SDW200

1 абсолютный макси -мООН оценок

ТАБЛе 2. АБСОЛутЕ МАХямум ратиНГС

Symbol	Parameter	Value		Unit
		NPN	2SDW100
		PNP	2SDW200
VCBO	Collector-emitter voltage (IE = 0)		80	V
VCEO	Collector-emitter voltage (IB = 0)		80	V
IC	Collector current		25	A
ICM	Collector peak current (tP < 5 ms)		40	A
IB	Base current		6	A
IBM	Base peak current (tP < 5 ms)		10	A
PTOT	Total dissipation at Tc ≤ 25 °C		130	W
TSTG	Storage temperature		-65 to 150	°C
TJ	Max. operating junction temperature		150	°C

НеТЕ: Фили ПнП тьРЕ ВолТАГЭ ай СЮрреНТ вАльщес АРЕ НЕГАтиВЕ

ТАБЛе 3. Тгермал дата

Symbol	Parameter	Value	Unit
RthJC	Thermal resistance junction-case max	0.96	°C/W

2 электрических ЦЧописание

ТЦСые = 25 °С; если другиежисэ оинсманьяков.

Symbol	Parameter	Test conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
ICBO	Collector cut-off current (IE = 0)	VCE = 80 V			0.5	mA
ICEV	Collector cut-off current (VBE = - 0.3 V)	VCE = 80 V			0.1	mA
ICEO	Collector cut-off current (IB = 0)	VCE = 60 V			0.5	mA
IEBO	Emitter cut-off current (IC = 0)	VEB = 5 V			2	mA
VCEO(sus) (1)	Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)	IC = 50 mA	80			V
VCE(sat)(1)	Collector-emitter saturation voltage	IC = 5 A IB = 20 mA IC = 10 A IB = 40 mA IC = 20 A IB = 80 mA			1.2 1.75 3.5	V V V
VBE(sat)(1)	Base-emitter saturation voltage	C B			3.3	V
(1)	Base-emitter voltage	I = 10 A V = 3 V	1		3	V
hFE(1)	DC current gain	IC = 5 A VCE = 3 V IC = 10 A VCE = 3 V IC = 20 A VCE = 3 V	600 500 300		15000 12000 6000
VF(1)	Diode forward voltage	IF = 10 A		TBD		V
Is/b	Second breakdown current	VCE = 25 V t = 500 ms		TBD		A

ТАБЛе 4. ЕЛЕСтрясал СНАрастеряытяв CS

Symbol	Parameter	Test conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
ICBO	Collector cut-off current (IE = 0)	VCE = 80 V			0.5	mA
ICEV	Collector cut-off current (VBE = - 0.3 V)	VCE = 80 V			0.1	mA
ICEO	Collector cut-off current (IB = 0)	VCE = 60 V			0.5	mA
IEBO	Emitter cut-off current (IC = 0)	VEB = 5 V			2	mA
VCEO(sus) (1)	Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)	IC = 50 mA	80			V
VCE(sat)(1)	Collector-emitter saturation voltage	IC = 5 A IB = 20 mA IC = 10 A IB = 40 mA IC = 20 A IB = 80 mA			1.2 1.75 3.5	V V V
VBE(sat)(1)	Base-emitter saturation voltage	C B			3.3	V
(1)	Base-emitter voltage	I = 10 A V = 3 V	1		3	V
hFE(1)	DC current gain	IC = 5 A VCE = 3 V IC = 10 A VCE = 3 V IC = 20 A VCE = 3 V	600 500 300		15000 12000 6000
VF(1)	Diode forward voltage	IF = 10 A		TBD		V
Is/b	Second breakdown current	VCE = 25 V t = 500 ms		TBD		A

1. Тестовый импульс: Длительность ≤ импульса 300 МКС, скважность ≤ 2 %.

Для PNP напряжение тип и текущие значения являются отрицательными.

К-247 мечАНСАЛ данных