Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Силиконовый контролируемый выпрямитель (SCR)> Высокая скорость DV/DT до 126 600 В 2P4M 2A SCR
Высокая скорость DV/DT до 126 600 В 2P4M 2A SCR
Высокая скорость DV/DT до 126 600 В 2P4M 2A SCR
Высокая скорость DV/DT до 126 600 В 2P4M 2A SCR
Высокая скорость DV/DT до 126 600 В 2P4M 2A SCR
Высокая скорость DV/DT до 126 600 В 2P4M 2A SCR
Высокая скорость DV/DT до 126 600 В 2P4M 2A SCR
Высокая скорость DV/DT до 126 600 В 2P4M 2A SCR

Высокая скорость DV/DT до 126 600 В 2P4M 2A SCR

$0.11000-9999 Piece/Pieces

$0.07≥10000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Express,Others
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-2P4M 10-30UA

маркаYzpst

место происхожденияКитай

IT(RMS)2.0A

IGT≤200μA

VDRM600V

VRRM600V

Tstg-40~150℃

Tj-40~110℃

Itsm20А

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

SCR 2P4M 10-30UA TO126CU
Описание продукта

2P4M 2 а Чувствительный Скрипт


ОПИСАНИЕ:
Серия 2P4M 2A SCR обеспечивает высокую скорость DV/DT
с сильной устойчивостью к электромагнитному разделам.
Они особенно рекомендуются для использования на остаточном
Текущий автоматический выключатель, прямые волосы, воспламенитель и т. Д.
YZPST-2P4M 10-30UA



ОСНОВНОЙ ФУНКЦИИ:

symbol

value

unit

IT(RMS)

2.0

A

IGT

≤200

μA

VDRM/VRRM

600

V

Абсолютный Максимум Рейтинги:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

2

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

ITSM

20

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

2

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TJ = 25 ℃, если не указано иное)

Symbol Value
Test Condition MIN TYPE MAX Unit
IGT VD=12V, RL=33Ω - 50 200 μA
VGT - 0.6 0.8 V
VGD VD=VDRM Tj=110 0.2 - - V
IH IT=50mA - - 5 mA
IL IG=1.2IGT - - 6 mA
dV/dt VD=2/3×VDRM   Tj=110 RGK=1KΩ 20 - - V/ µs

Статические характеристики

Symbol Test Condition Value Unit
VTM ITM=4A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.5 V
IDRM VD=VDRM= VRRM RGK=1KΩ Tj=25 MAX 5 µA
IRRM Tj=110 0.1 mA
УПАКОВКА Механический ДАННЫЕ
YZPST-2P4M TO-126


Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить