Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Силиконовый контролируемый выпрямитель (SCR)> Высокая скорость DV/DT до-92 0,8A SCR
Высокая скорость DV/DT до-92 0,8A SCR
Высокая скорость DV/DT до-92 0,8A SCR
Высокая скорость DV/DT до-92 0,8A SCR
Высокая скорость DV/DT до-92 0,8A SCR
Высокая скорость DV/DT до-92 0,8A SCR
Высокая скорость DV/DT до-92 0,8A SCR
Высокая скорость DV/DT до-92 0,8A SCR

Высокая скорость DV/DT до-92 0,8A SCR

$39200-1999 Others

$32≥2000Others

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Express,Others
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-BT169 10-30UA

маркаYzpst

место происхожденияКитай

LT(RMS)0.8A

VTM<1.5V

Tstg-40~150℃

Tj-40~110℃

LTSM10A

L2t0.5A2s

Dl/dt50A/μs

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : 1000 pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Тренанка
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

SCR BT169 10-30UA TO92CU
Описание продукта

YZPST-BT169 SCR


ОПИСАНИЕ:

Серия BT 1 6 9 SCR обеспечивает высокую скорость DV/DT

с сильной устойчивостью к электромагнитному разделам.

Они особенно рекомендуются для использования на автоматическом выключателе с остаточным током, прямыми волосами, воспламенением и т. Д.

YZPST-BT169 10-30UA TO-92


ОСНОВНОЙ ФУНКЦИИ:

symboI

vaIue

unit

lT(RMS)

0.8

A

VDRM/VRRM

400/600/800

V

VTM

<1.5

V

Абсолютный Максимум Рейтинги:

Parameter

SymboI

vaIue

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

400/600/800

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

400/600/800

V

RMS on-state current (Tc=80)

lT(RMS)

0.8

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

lTSM

10

A

l2t value for fusing (tp=10ms)

l2t

0.5

A2s

critical rate of rise of on-state current (lG=2xlGT)

dl/dt

50

A/μs

Peak gate current

lGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TJ = 25K, если не указано иное)

SymboI vaIue
Test Condition MlN TYPE MAX unit
lGT - 20 200 μA
VGT VD=12V, RL=33Ω - 0.5 1 V
VD=VDRM Tj=110K
VGD RL=3.3KΩ 0.2 - - V
lH lT=50mA - - 2 mA
lL lG=1.2lGT - - 3 mA
VD=0.66XVDRM   Tj=110K
dV/dt G  RGK=1KΩ 20 - - V/μs

Статические характеристики

SymboI Test Condition vaIue unit
VTM lTM=2A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.5 V
lDRM VDRM= VRRM Tj=25 5 μA
lRRM RGK=1KΩ Tj=110 MAX 100 μA

УПАКОВКА Механический ДАННЫЕ

YZPST-BT169 TO-92


Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить