Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Пластиковый пакет диода> Широкий диапазон тока 3200 В диоды высокого напряжения
Широкий диапазон тока 3200 В диоды высокого напряжения
Широкий диапазон тока 3200 В диоды высокого напряжения
Широкий диапазон тока 3200 В диоды высокого напряжения
Широкий диапазон тока 3200 В диоды высокого напряжения
Широкий диапазон тока 3200 В диоды высокого напряжения

Широкий диапазон тока 3200 В диоды высокого напряжения

$4150-199 Piece/Pieces

$32≥200Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:Shanghai
Атрибуты продукта

МодельYZPST-UGE0421AY4

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VRRM3200 В.

VRSM3300 В.

If (av) M10.9a

If (rms)40a

IFSM250а

VFM2,72 В.

VF01,7 В.

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Диод высокого напряжения yzpst-gen0421ay4
Описание продукта


Диоды высокого напряжения
YZPST-UGE0421AY4
Стандартные приложения диодов восстановления
Функции:
Широкий диапазон тока
Возможности тока с высоким всплеском
Спик -катод и анодная версия
Типичные области применения:
Конвертеры
Источники питания
Управление с помощью машинного инструмента
Заряды батареи
Прямая проводимость




Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

3200

 

 

V

 

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

3300

 

 

V

 

Max. average forward current

IF(AV)M

 

10.9

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=45oC

Max. RMS forward current

IF(RMS)

 

40

 

A

Nominal value

Max. peak, one-cycle forward, non-repetitive surge current

IFSM

 

250

 

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 150 oC

Maximum I2t for fusing

I2t

 

-

 

A2s

Max. forward voltage drop

VFM

 

2.72

 

V

ITM = 55A; Tvj=25

Threshold voltage

VF0

 

1.7

 

V

Тепловые и механические спецификации

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+150

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

 

K/W

 

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

 

K/W

 

Mounting force

P

-

8

 

Nm

± 10%

Weight

W

-

-

115

g

 

Case style

 

 

 

-

 

See Outline Table


Корпус и размеры.

Wide current range 3200V high voltage diodes



Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Пластиковый пакет диода> Широкий диапазон тока 3200 В диоды высокого напряжения
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить