Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые дисковые устройства (тип капсулы)> Фазовый контроль Тиристор> 2800V N2055MC280 High Power Thyristor для применений управления фазой
2800V N2055MC280 High Power Thyristor для применений управления фазой
2800V N2055MC280 High Power Thyristor для применений управления фазой
2800V N2055MC280 High Power Thyristor для применений управления фазой
2800V N2055MC280 High Power Thyristor для применений управления фазой
2800V N2055MC280 High Power Thyristor для применений управления фазой
2800V N2055MC280 High Power Thyristor для применений управления фазой
2800V N2055MC280 High Power Thyristor для применений управления фазой

2800V N2055MC280 High Power Thyristor для применений управления фазой

$4010-49 Piece/Pieces

$38≥50Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Express,Others
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-N2055MC280

маркаYzpst

Тип поставкиОригинальный производитель

Справочные материалытехническая спецификация, Фото

место происхожденияКитай

КонфигурацияМножество

Текущий пробойНепригодный

Текущее удержание (Ih) (максимум)Непригодный

Обесточенное состояние (максимальное)Непригодный

Номер тринистора, диодНепригодный

Рабочая Температура-40 ° C ~ 125 ° C (ТДж)

Тип SCRНепригодный

составНепригодный

Напряжение наНепригодный

Триггер по напряжению (Vgt) (максимум)Непригодный

Токовый выход (максимум)Непригодный

VRRM2800V

VDRM2800V

VRSM2900V

DV/dt500 V/μsec

IT(AV)2000A

ITRMS2000A

I2t3.3x106 A2s

IL800mA

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Пример с картинкой :
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

私 域 A1237NC280.MP4
Описание продукта

P/N: YZPST-N2055MC280

Высокая мощность тиристора для применений управления фазой
Функции:
Полем Вся рассеянная структура
Полем Конфигурация усиливающегося центрального усиления
Полем Гарантированное максимальное время отключения
Полем Высокая способность DV/DT
Полем Собранное устройство
Электрические характеристики и рейтинги
Блокировка - вне штата

VRRM(1)

V DRM(1)

VRSM(1)

2800

2800

2900

VRRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение
VDRM = повторяющийся пик от напряжения состояния
VRSM = не повторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Repetitive peak reverse

leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

65 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

500 V/μsec

YZPST-N2055MC280-1

Проводя - на состояние

Parameter Symbol Min. Max. Typ. Units Conditions
Average value of on-state current IT(AV)   2000   A Tc=93oC
RMS value of on-state current ITRMS   2000   A Nominal value
Peak one cPSTCle surge ITSM   41000   A 8.3 msec (60Hz),sinusoidal wave-   shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
(non repetitive) current 36000 A
I square t I2t   3.3x106   A2s 8.3 msec and 10.0 msec
Latching current IL   800   mA VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current IH       mA VD = 24 V; I = 2.5 A
400
Peak on-state voltage VTM       V ITM = 2000 A;
1.45
Critical rate of rise of on-state current (5) di/dt       A/μs Switching from VDRM  < 1000 V, non-repetitive
200
Стробирование
Parameter Symbol Min. Max. Typ. Units Conditions
Peak gate power dissipation PGM   200   W tp = 40 us
Average gate power dissipation PG(AV)   5   W  
Peak gate current IGM   10   A  
Gate current required to trigger all units IGT   300   mA VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = -40 oC   VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = +25 oC  VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = +125oC
150 mA
125 mA
Gate voltage required to trigger all units VGT   5   V VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = -40 oC    VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL  = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
0.3 3 V
    V
Peak negative voltage VGRM   5   V  

Динамика

Parameter Symbol Min. Max. Typ. Units Conditions
Delay time td   1.5 0.7 μs ITM = 50 A; VD  = Rated VDRM
Gate pulse: VG = 20 V; RG  = 20 ohms; tr = 0.1 μs; tp  = 20 μs
Turn-off time (with VR  = -50 V) t   500 250 μs ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/μs;
VR > -50 V; Re-applied dV/dt = 20   V/μs linear to 80% VDRM; VG  = 0;     Tj = 125 oC; Duty cPSTCle > 0.01%
Reverse recovery charge Qrr       μC ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/μs;
* VR > -50 V

YZPST -N2055 MC 280

YZPST-N2055MC280
Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить