Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые дисковые устройства (тип капсулы)> Фазовый контроль Тиристор> KK2000A4000V фазорегулятор силовой тиристорный 4000v
KK2000A4000V фазорегулятор силовой тиристорный 4000v
KK2000A4000V фазорегулятор силовой тиристорный 4000v
KK2000A4000V фазорегулятор силовой тиристорный 4000v

KK2000A4000V фазорегулятор силовой тиристорный 4000v

$268≥20Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа:20 Piece/Pieces
транспорт:Ocean,Air
Порт:Shanghai
Атрибуты продукта

МодельYZPST-KK2000A4000V

маркаYZPST

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

ТИРИСТОР ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ ФАЗОВОГО УПРАВЛЕНИЯ

YZPST-KK2000A4000V

Особенности:

, Вся диффузная структура

, Взаимозаменяемая конфигурация усилительного шлюза

, Гарантированное максимальное время выключения

, Высокая способность dV / dt

, Устройство под давлением

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Bloc к ИНГАМ - выкл С тейт

Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

KK2000A

4000

4000

4100

V RRM = R e p etiti v e п е к к г е об е р с й v о LTA г е

V DRM = R e p etiti v e п е к к о ф ф с тейт v о LTA г е

V R S M = Нет г е р е etiti v п е к к г е об е р с й v о LTA г е (2 )

Repetitive peak reverse

leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

П о воздуховоды - на ы Tate


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

2000

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

3300

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

42000

39000

 

A

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

5.5x106

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

1000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

 

500

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

 

2.60

 

V

ITM = 2000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

 

800

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

 

300

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ЗГ тин

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

20

 

A

 

Gate current required to trigger all

units

IGT

 

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all

units

VGT

 

0.30

5

4

 

V

V V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

20

 

V

 

Д у па м IC

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

 

 

2.0

 

ms

ITM = 50 A; VD = 67% VDRM

Gate pulse: VG = 30 V; RG = 10 ohms;

tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

 

 

 

100

 

ms

ITM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -5 V; Re-applied dV/dt = 400

V/ms linear to 67% VDRM ;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery current

Irr

 

 

200

 

 

A

ITM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -50 V; Tj = 125 oC

ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to

case

RQ (j-c)

 

0.012

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

0.002

 

o

C/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

8000

35.5

10000

44.4

 

lb.

kN

 

Weight

W

 

 

3.5

1.60

Lb.

Kg.

 

* М о ип ти н г су R F A C ES s m oo t h , е ш а н С т е а с е изд

N о том : f o r c a s e о у ИТ н е а н д д я м е нс я о нс, снежн c a s e о у ИТ н е Dr A W I N G в p a g e 3 часа дня т ч Т е с Нп ческое Данные

KK200A4000VTHYRISTOR (1)KK200A4000VTHYRISTOR (4)

A:

84

mm

B:

118

mm

C:

108

mm

E:

36

mm

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить