Мощный тиристор для инверторного применения
$801-199 Piece/Pieces
$40≥200Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
Количество минимального заказа: | 1 Piece/Pieces |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | Shanghai |
$801-199 Piece/Pieces
$40≥200Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
Количество минимального заказа: | 1 Piece/Pieces |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | Shanghai |
Модель: YZPST-R0929LC10 (TQ<10US)
марка: YZPST
ТИРИСТОР ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ИНВЕРТОРНЫХ ПРИЛОЖЕНИЙ
YZPST-R0929LC10 (TQ <10US)
Особенности тиристора:
, Вся диффузная структура
, Взаимозаменяемая конфигурация усилительного шлюза
, Гарантированное максимальное время выключения
, Высокая способность dV / dt
, Устройство под давлением
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ
Блокировка - выключено
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1000 |
1100 |
1200 |
V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение
V DRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния
V RSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)
Ноты:
Все рейтинги указаны для Tj = 25 o C, если не указано иное.
(1) Все номинальные напряжения указаны для примененного
50 Гц / 60 Гц синусоидальная форма волны
диапазон температур от -40 до + 125 o С.
(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса
(3) Максимальное значение для Tj = 125 o C.
(4) Минимальное значение для линейной и экспоненциальной формы волны до 80% номинального V DRM . Ворота открыты. Tj = 125 o C.
(5) неповторяющееся значение.
(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет в дополнение к полученному из убер-контура, содержащего конденсатор емкостью 0,2 мФ и сопротивление 20 Ом параллельно тестируемому тристору.
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
15 mA 70 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
Дирижирование - по состоянию
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
929 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
1893 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
9.0 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
405x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.04 |
|
V |
ITM = 1400 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
стробирование
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
2 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
динамический
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
10 |
- |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
32 64 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
10 |
20 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.