Инвертор большой мощности тиристорный C458PB

Инвертор большой мощности тиристорный C458PB

Получите последнюю цену

Вид оплаты:	L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:	FOB,CFR,CIF
транспорт:	Ocean,Air
Порт:	SHANGHAI

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-C458PB

марка: YZPST

Упаковка и доставка

Тип упаковки

1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

Тиристор высокой мощности

YZPST-DCR1020SF65-1

применение тиристоров Тиристор управления двигателем постоянного тока Устройство в сборе под давлением ТиристорВсе характеристики указаны для Tj = 25 oC, если не указано иное.

(1) Все номинальные напряжения указаны для синусоидальной формы волны 50 Гц / 60 Гц в диапазоне температур от -40 до +125 ° С.

(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса

(3) Максимальное значение для Tj = 125 oC.

(4) Минимальное значение для линейной и экспоненциальной формы волны до 80% номинального VDRM. Открытые ворота. Tj = 125 oC.

(5) неповторяющееся значение.

(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет в

По сравнению с демпфирующей цепью, содержащей конденсатор 0,2 мкФ и сопротивление 20 Ом параллельно с тестируемым тристором .

Особенности:. Вся диффузная структура . Конфигурация центральных усилителей . Блокирующая способность до 4200 вольт

, Гарантированное максимальное время выключения . Высокая способность dV / dt . Устройство под давлением

High Power Thyristor

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		640		A	Sinewave,180o conduction,T =60oC c
RMS value of on-state current	ITRMS		1005		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	ITSM		- 8.5		KA KA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, T = 125 j oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, T = 125 j oC
I square t	I2t		0.36x106		A2s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	IL		600		mA	VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		200		mA	VD = 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		3.6		V	ITM = 1800 A; Duty cPSTCle 0.01%; T = 25 oC j
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ s	Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		100		A/ s	Switching from VDRM 1000 V

E L E CTR I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		150		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		-		A
Gate current required to trigger all units	IGT		- 300 -		mA mA mA	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +25 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +125oC D L j
Gate voltage required to trigger all units	V		- 3.0 -		V V V	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = 0-125oC D L j VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; T = + 125 oC j
Peak negative voltage	VGRM		5		V

G a t i n g

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		150		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		-		A
Gate current required to trigger all units	IGT		- 300 -		mA mA mA	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +25 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +125oC D L j
Gate voltage required to trigger all units	V		- 3.0 -		V V V	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = 0-125oC D L j VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; T = + 125 oC j
Peak negative voltage	VGRM		5		V

Д у п а м я с

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

0.5

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 s; tp = 20 s

Turn-off time (with VR = -50 V)

600

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ s;

VR -50 V; Re-applied dV/dt = 20

V/ s linear to 80% VDRM; VG = 0;

T = 125 oC; Duty cPSTCle

0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ s; VR -50 V

* Ф О Р гу а р а н т EED м х х . Р а л е, с т т с т е С т о р.

T H E R M A L A N D ME CH A N I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	Tj	-40	+125		oC
Storage temperature	Tstg	-40	+125		oC
Thermal resistance - junction to case	R (j-c)		0.022 0.052		o C/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R (c-s)		0.004 0.008		o C/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistamce - junction to sink	R (j-s)		- -		o C/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	18	22		kN
Weight	W			-	g