Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль диода> Высокая надежность MFC200 1600V Тиристорный диодный модуль
Высокая надежность MFC200 1600V Тиристорный диодный модуль
Высокая надежность MFC200 1600V Тиристорный диодный модуль
Высокая надежность MFC200 1600V Тиристорный диодный модуль
Высокая надежность MFC200 1600V Тиристорный диодный модуль
Высокая надежность MFC200 1600V Тиристорный диодный модуль
Высокая надежность MFC200 1600V Тиристорный диодный модуль
Высокая надежность MFC200 1600V Тиристорный диодный модуль

Высокая надежность MFC200 1600V Тиристорный диодный модуль

$2550-999 Piece/Pieces

$18≥1000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-MFC200-16

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VRRM1600V

VDRM1600V

VRSM1700v

IRRM, IDRM70 mA

Dv/dt1000 V/µs

ITAV, IFAV216A

ITRMS, IFRMS340A

ITSM, IFSM6.8kA

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Тренанка
Пример с картинкой :
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Тиристорный диодный модуль MFC200-16
Описание продукта
YZPST-MFC200-16
Тиристор / диодный модуль
Функции:
- Теплопередача через алюминиевую нитридную керамическую изолированную металлическую базовую плитку
- Жесткие припаянные суставы для высокой надежности
- Тиристор с усиливающими воротами
Типичные области применения:
- управление двигателем DC - мягкие стартеры двигателя переменного тока
- Контроль температуры
- Профессиональное светобывание

Обратная блокировка - вне государства

Device Type VRRM (1) VDRM (1) VRSM (1)
YZPST MFC200 1600 V 1600 V 1700 V

VRRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

VDRM = повторяющееся пиковое напряжение вне государства

VRSM = не повторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Repetitive reverse  and off-state peak leakage current IRRM, IDRM 70 mA (3)
Critical rate of  rise of off-state voltage dv/dt 1000 V/µs (4)
Проводя
Parameter Symbol Min Max Typ Unit Conditions
Average on-state / forward current ITAV, IFAV 216 A 50 Hz sine wave,180o conduction,
Tc = 85 °C
RMS on-state / forward current ITRMS, IFRMS 340 A 50 Hz sine wave,180° conduction,
Tc = 85 °C
Surge non repetitive current ITSM, IFSM 6.8 kA 50 Hz sine wave
Half cycle
I squared t I2 t 231 kA2s VR = 0
Tj = Tjmax
Peak on-state / forward voltage VTM, VFM 1.1 V On-state current 200 A, Tj = Tjmax
Threshold voltage VT(TO) 0.8 V Tj = Tjmax
On-state slope resistance rT 1.4 Tj = Tjmax
Holding current IH 150 mA Tj = 25 °C
Latching current IL 200 mA Tj = 25 °C
Critical rate of rise of on-state current di/dt 500 A/µs IG = 5 IGT,  tr= 1 µs, Tj = Tjmax,  non rep.
RMS isolation voltage VINS 3000 V AC 50 Hz, 60 s
Запуска
Parameter Symbol Min Max Typ Unit Conditions
Gate current IGT 150 mA VD = 6 V; RL  = 6 Ω; Tj = 25 °C
Gate voltage VGT 2 V VD = 6 V; RL  = 6 Ω; Tj = 25 °C

Схема и РАЗМЕРЫ

OUTLINE AND DIMENSIONS

Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль диода> Высокая надежность MFC200 1600V Тиристорный диодный модуль
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить