Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Би -указания тиристор (триак)> Задняя часть многослойного металла TO-92 MAC97A8 Triac
Задняя часть многослойного металла TO-92 MAC97A8 Triac
Задняя часть многослойного металла TO-92 MAC97A8 Triac
Задняя часть многослойного металла TO-92 MAC97A8 Triac
Задняя часть многослойного металла TO-92 MAC97A8 Triac
Задняя часть многослойного металла TO-92 MAC97A8 Triac
Задняя часть многослойного металла TO-92 MAC97A8 Triac

Задняя часть многослойного металла TO-92 MAC97A8 Triac

$41200-1999 Others

$36≥2000Others

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Express,Others
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-MAC97A8

маркаYzpst

место происхожденияКитай

IT(RMS)0.8A

VDRM600V

VRRM600V

ITSM8.0A

I2t0.45A2S

IGM1A

PGM1W

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : 1000 pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Тренанка
Скачать :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Triac mac97a8 to-92cu 1-3ma
Описание продукта
P/N: YZPST-MAC97A6 97A8 Triacs
Особенность
Кремниевые устройства Triacs как чувствительный дизайн
Тип P через диффузию изолирован
Mesa Glass-Passiving Technology
Задняя сторона многослойного металла
Типичное применение
Нагреватель контроллер; контроллер замолчания

Управление лампой; Домашние приборы

Упаковка
TO-92 SOT-89
YZPST-MAC97A8 TO-92


Основная спецификация (TJ = 25 ℃)

Type Content Value Unit
IT(RMS) Nominal RMS on-state Current 0.8 A
Off-state/reverse repetitive peak voltage MAC97A6 400 V
VDRM/VRRM
MAC97A8 600 V
ITSM Non-repetitive on-state surge current 8 A
Ограниченная спецификация
Type Specification and conditions value units
IT(RMS) Nominal RMS on-state Current Tlead 50 0.8 A
Repetitive peak off-state 400 V
voltage    Tj=25℃ MAC97A6
VDRM/VRRM Repetitive peak reverse 600 V
voltage    Tj=25 MAC97A8
ITSM Non-repetitive  on-state  surge  current  sine  50HZ,one  cycle TC=25℃ 9 A
I2t Fuse current     (tp=10ms) 0.45 A2S
IGM Gate peak current 1 A
PGM Gate peak power 1 W

PG(AV)

 

Gate average power

 

0.1

 

W

 

 

di/dt

 

Critical rate of rise of on state voltage

(ITM=1 A,,IG=0.2A, d IG  /dt=0.2A/μS , Tj=110 )

 

 

20

 

 

A/μS

Tstg

Tj

Storage temperature

Junction temperature

-40--+150

-40--+110

 


TO-92 рисунок упаковки

YZPST-MAC97A8


YZPST-MAC97A8 TO92

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить