600 В до 220F BTA312X-600D TRIAC обладает хорошей эффективностью при DV/DT и надежности
$0.125000-19999 Piece/Pieces
$0.1≥20000Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Land,Express,Others |
Порт: | shanghai |
$0.125000-19999 Piece/Pieces
$0.1≥20000Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Land,Express,Others |
Порт: | shanghai |
Модель: YZPST-BTA312X-600D
марка: Yzpst
место происхождения: Китай
IT(RMS): 12A
VDRM: 600V
VRRM: 600V
IGT: ≤5mA
ITSM: 95A
I2t: 45A2S
Продажа единиц жилья | : | Piece/Pieces |
Тип упаковки | : | 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа |
Скачать | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
P/N: YZPST-BTA312X-600D Triacs
Попечение
Из -за технологии MESA и стеклянной пассивации эти устройства хорошо
производительность на DV/DT и надежность. Серия Triac подходит для общего
цель переключения переменного тока. Они могут использоваться в качестве управления двигателем с высокой мощностью - например,
стиральные машины, пылесосы, андеризация и кондиционирование воздуха
компрессоры, электронные термостаты.
Основные особенности
Symbol | Value | Unit |
IT(RMS) | 12 | A |
VDRM/VRRM | 600 | V |
IGT | ≤5 | mA |
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
Symbol | PARAMETER | Value | Unit | |
IT(RMS) | RMS on-state current(all full sine wave) | TO-220F ,Th≤61℃ | 12 | A |
non-repetitive peak on-state current | F=50HZ ,t=20ms | 95 | ||
ITSM | (full sine wave, Tj=25℃) | F=60HZ ,t= 16.7ms | 105 | A |
I2t | I2t Value for fusing | tp= 10ms | 45 | A2S |
di/dt | Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering | IT = 20 A; IG = 0.2 A; dIG/dt = 0.2 A/µs | A/μs | |
100 | ||||
VDRM VRRM | Repetitive Peak Off-state Voltage Repetitive Peak Reverse Voltage | Tj=25℃ | ||
600 | V | |||
IGM | Peak gate current | tp=20us | 2 | A |
PGM | peak gate power | 5 | W | |
PG(AV) | Average gate power dissipation | over any 20 ms period | 0.5 | W |
Tstg | Storage junction temperature range | - 40 to +150 | ℃ | |
Tj | Operating junction temperature range | 125 | ℃ |
Статические характеристики
Symbol | Test Condition | Quadrant | Value | Unit | ||
MIN | TYP | MAX | ||||
T2+ G+ | 5 | |||||
VD= 12V, IT=0. 1A, T=25°C See figure8 | T2+ G- | 5 | ||||
IGT | T2- G- | 5 | ||||
T2+ G+ | 10 | |||||
VD= 12V, IT=0. 1A, T=25°C See figure10 | T2+ G- | 15 | ||||
IL | T2- G- | 15 | ||||
IH | VD = 12 V; Tj = 25 ℃ , See figure11 | 10 | mA | |||
VT | IT=0. 1A, Tj=25°C ,See figure9 | 1.3 | 1.6 | |||
VD= 12V, IT=0. 1A, T=25°C ,See figure7 | 0.7 | 1.5 | ||||
VGT | VD=400V,IT=0. 1A, Tj=125°C ,See figure11 | 0.25 | 0.4 | V | ||
ID | VD = 600 V; Tj = 125 °C | 0.1 | 0.5 | mA |
Динамические характеристики
Symbol | Test Condition | Value | Unit | ||
MIN | TYP | MAX | |||
dVD/dt | VDM = 402 V; Tj = 125 °C; exponential | 20 | V/us | ||
waveform; gate open circuit | |||||
VD = 400 V; Tj = 125 °C; IT(RMS) = 12 A; | 1 | A/ms | |||
dVcom/dt = 20 V/µs; gate open circuit; | |||||
"without snubber" condition | |||||
dIcom/dt | VD = 400 V; Tj = 125 °C; IT(RMS) = 12 A; | 1.5 | A/ms | ||
dVcom/dt = 10 V/µs; gate open circuit | |||||
VD = 400 V; Tj = 125 °C; IT(RMS) = 12 A; | 4.5 | A/ms | |||
dVcom/dt = 1 V/µs; gate open circuit | |||||
tgt | ITM = 20 A; VD = 600 V; IG = 0. 1 A; | 2 | |||
dIG/dt = 5 A/µs | us |
Пакет механических данных
До-220f
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.