16A BTB16-800BW 800 В
$0.165000-9999 Piece/Pieces
$0.14≥10000Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Land,Express,Others |
Порт: | SHANGHAI |
$0.165000-9999 Piece/Pieces
$0.14≥10000Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
транспорт: | Ocean,Land,Express,Others |
Порт: | SHANGHAI |
Модель: YZPST-BTB16-800BW
марка: Yzpst
место происхождения: Китай
IT(RMS): 16A
VDRM: 800V
VRRM: 800V
VTM: ≤ 1.5v
Tstg: -40~150℃
Tj: -40~150℃
ITSM: 160A
I2t: 128A2s
DI/dt: 50A/μs
Продажа единиц жилья | : | Piece/Pieces |
Тип упаковки | : | 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Тренанка |
Скачать | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
YZPST-BTB16-800BW 800V BTB16-800BW 16A Triac
BTA 1 6/ BTB 16 (BT 13 9) серия 16 Atriacs
Описание :С высокой способностью выдерживать ударную нагрузку большого тока, трияки серии BTA16/BTB16 обеспечивают высокую скорость DV/DT с сильной устойчивостью к электромагнитному разделам.
С высокими показателями коммутации 3 квадрантских процесса, особенно рекомендованные для использования при индуктивной нагрузке. От всех трех терминалов до внешнего радиатора, BTA16 обеспечивает номинальное изоляционное напряжение 2500 VRM, соответствующих стандартам UL
Основные особенности :
symbol |
value |
unit |
IT(RMS) |
16 |
A |
VDRM/VRRM |
600/800/ 1200 |
V |
VTM |
≤ 1.5 |
V |
Абсолютные максимальные оценки :
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
℃ |
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25C) |
VDRM |
600/800/ 1200 |
V |
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25C) |
VRRM |
600/800/ 1200 |
V |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
16 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz) |
ITSM
|
160
|
A
|
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
128 |
A2s |
Critical rate of rise of on-state current(IG=2× IGT) |
dI/dt |
50 |
A/μs |
Peak gate current |
IGM |
4 |
A |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
1 |
W |
Peak gate power |
PGM |
5 |
W |
Электрические характеристики (TJ = 25C, если не указано иное)
3 квадранта :
Parameter | Value | |||||||
Test Condition | Quadrant | TW | SW | CW | BW | Unit | ||
IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | A | ||
VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |||
VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0 2 | V | |||
IH | IT=100mA | MAX | 15 | 25 | 40 | 60 | A | |
Ⅰ-Ⅲ | 20 | 30 | 50 | 70 | m | |||
IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 25 | 40 | 60 | 90 | A |
VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open | ||||||||
dV/dt | MIN | 100 | 200 | 500 | 1000 | V/µs |
4 квадранта :
Parameter | Value | |||||
Test Condition | Quadrant | C | B | Unit | ||
Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | A | |||
IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | A | |
VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
VGD | VD=VDRM | ALL | MIN | 0.2 | V | |
IH | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | A | |
Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 50 | 70 | m | |||
IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 70 | 90 | A |
VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open | ||||||
dV/dt | MIN | 200 | 500 | V/µs |
Статические характеристики
Symbol | Test Condition | Value | Unit | ||
VTM | ITM=22.5A tp=380μs | Tj=25C | MAX | 1.5 | V |
IDRM | Tj=25C | 5 | A | ||
IRRM | VDRM= VRRM | Tj=125C | MAX | 1 | A |
Тепловые сопротивления
Symbol | Test Condition | Value | Unit | |
Rth(j-c) | TO-220A(Ins) | 2.1 | ℃/W | |
TO-220B(Non-Ins) | 1.3 | |||
TO-220F(Ins) | 2.3 | |||
junction to case(AC) | TO-263 | 2.4 |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.