N-канальный кремниевый мощный мосфет SIC MOSFET 1200 В.

N-канальный кремниевый мощный мосфет SIC MOSFET 1200 В.

$10100-999 Piece/Pieces

$6.5≥1000Piece/Pieces

Вид оплаты:	L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:	FOB,CFR,CIF
транспорт:	Ocean,Air
Порт:	SHANGHAI

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-M2G0080120D

марка: Yzpst

VDSmax: 1200V

Id: 42A

Pd: 208W

VGS,op: -5/+20V

VGSMAX: -10/+25 В

Упаковка и доставка

Продажа единиц жилья	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Пластическая защитная упаковка
Скачать	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

YZPST-M2G0080120D N-канальный мощный MOSFET



Описание продукта

M2G0080120D

N-канальный кремниевый мощный мосфет SIC MOSFET 1200 В.

Функции

• Оптимизированный пакет с отдельным источником драйвера

• Высокое напряжение блокировки с низким уровнем устойчивости

• Высокоскоростной переключение с низкими емкостью

• Быстрый внутренний диод с низким обратным восстановлением (QRR)

• Легко параллельно

• Соответствует RoHS

Преимущества

• Более высокая эффективность системы

• Уменьшить требования к охлаждению

• Повышенная плотность мощности

• Обеспечение более высокой частоты

• Минимизируйте звонок ворот

• Снижение сложности и стоимости системы

Приложения

• Переключение питания режима

• Преобразователи DC/DC

• Солнечные инверторы

• Зарядные устройства аккумулятора

• Моторные диски

Power MOSFET

Максимальные оценки (TC = 25 ° C, если не указано иное)

Symbol	Parameter	Value	Unit	Test Conditions	Note
f^DSmax	Drain-Source Breakdown Voltage	1200	V	海=0 V, /d=100 卩A
Id	Continuous Drain Current	42	A	4s=20 V Tc=25 °C	Fig. 18
Pd	Power Dissipation	208	W	*=25 °C	Fig. 19
FgS,op	Recommend Gate Source Voltage	-0.25	V
J^Smax	Maximum Gate Source Voltage	-0.4	V	AC (f>lHz)	Note 1
Tj, Tstg	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to	°C
Tj, Tstg	Operating Junction and Storage Temperature Range	175	°C
7l	Soldering Temperature	260	°C

Электрические характеристики

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit	Test Conditions	Note
Static
BVds	Drain-Source Breakdown Voltage	1200	-	-	V	4s=0 V, Zd=100 卩A
A)ss	Zero Gate Voltage Drain Current	—	11	100		丹s=1200 V Pgs=0 V
Igss	Gate-Source Leakage	—	10	250	nA	4s=20 V
FGS(th)	Gate-Source Threshold Voltage	2	—	4	V	Id=5 mA,	Fig. 11
&DS(on)	Drain-Source On-Resistance	—	78	100	mQ	国=20 V, Zd=20 A	Fig. 6
Dynamic
Ciss	Input Capacitance	—	1128		PF	4s=0 V,比s=1000 V	Fig. 17
C^oss	Output Capacitance	—	86			f^l.OMHz,瓜=25 mV
Crss	Reverse Transfer Capacitance	—	5
Eoss	Coss Stored Energy	-	44		卩J		Fig. 16
Qs	Total Gate Charge	—	52		nC	moo V	Fig. 12
figs	Gate-Source Charge	-	17			血=20 A
Qgd	Gate-Drain Charge	-	15			Fgs=-5/+20 V
td(cn)	Turn-on Delay Time	—	41		ns	丹 s=800 V
tr	Turn-on Rise Time	-	21			Fgs=-5/+20 V
	Turn-off Delay Time	—	48			Id=20A
tf	Turn-off Fall Time	—	16			Ro(ext)=2.5 Q
RG(int)	Internal Gate Resistance	-	4		n	E.O MHz, Vac=25 mV