Электронные компоненты Triac BTA12

Получите последнюю цену

Вид оплаты:	L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:	FOB,CFR,CIF
транспорт:	Ocean,Air
Порт:	SHANGHAI

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Упаковка и доставка

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-BTA12

марка: YZPST

Упаковка и доставка

Тип упаковки	:	1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка
Скачать	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта

BTA12 Сериза триаки

YZPST-BTA12 TO-220AB

Особенность электронных компонентов Triac BTA12: Третий квадрант, чувствительный триггерной структуры. Диффузионная и стекло пассивированная технология. Обеспечить надежность и однородность спецификации. Соответствуйте соответствующей спецификации ворот как требованию высокой температуры. Лучше всего подходит для общения способности и чувствительности ворот.

Основное применение

* Стиральная машина, пылесос, диммер.удаленный выключатель.

* AC moter conrtol оборудование.

BTA12 Serise Triacs YZPST-BTA12 TO-220AB

* Переключение индуктивной нагрузки.

Схема и массив выводов

* ТО-220

BTA12 Serise Triacs YZPST-BTA12 TO-220AB

█ Значение показателя (если не указано специальное шоу, T _j = 25 ℃ )

Description	symbol	value	unit
Repetitive paek off-state voltage (Tj= −40 ~125℃) Half sine wave 50Hz, gate open -600	VDRM VRRM	600 600	V
Nominal RMS on-state current Full sine wave 50 Hz	IT(RMS)	12	A
Non-repetitive peak surge current (junction temperature Tj =25℃) One cycle 50 Hz	ITSM	120	A
Fuse current (t = 10 ms)	I²t	78	A²s
Gate average power (T_C=80℃, t = 10 ms)	PG(AV)	1	W
Gate peak current (t≤2.0μs)	IGM	4	A
Work junction temperature	TJ	-40~125	℃
Storage temperature	Tstg	-40~150	℃

█ Тепловые характеристики

Description	Symbol	Max	Unit
Thermal resistance ( junction to arround )	R_{j A}	60	°C/W

█ Электрические характеристики (кроме специальных шоу T _j = 25 ℃ )

Description	Symbol	Min	Type	Max	Unit
Repetitive paek off-state current (VD = Rated VDRM,VRRM gate open ) Tj = 125℃	I_DRM, I_RRM	−	−	1	mA
Peak on-state Voltage (IT =12A)	V_T	−	1.4	1.6	V
Gate trigger current (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) -CW MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) -BW	I_GT	− − − − − −	− − − − − −	35 35 35 50 50 50	mA
Gate trigger voltage (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) All serises	V_GT	− − −	− − −	1.5 1.5 1.5	V
Gate non-trigger voltage (VD = VDR, RL =3.3KΩ,Tj =125℃) All serises	V_GD	0.2	−	−	V
Hold current (Candution current IT=200mA)	I_H	−	−	50	mA